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教育部重点实验室开放基金(ZMPL07XN0005)
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热压烧结SiC/CCTO陶瓷电容器的工艺和性能
2009年
首先采用固相法合成CaCu3Ti4O12(CCTO)粉体,与SiC粉体均匀混合后,采用真空热压制备了SiC/CCTO复合陶瓷电容器。采用DSC-TG技术分析了SiC/CCTO复合粉体的热行为,采用XRD、SEM等手段对样品进行表征,研究了SiC/CCTO复合陶瓷电容器的介电性能,并对其介电机理进行了探讨。结果发现,在950℃和30MPa的热压条件下制备出的SiC/CCTO复合陶瓷电容器具有最高的介电常数εr≈3×10(81kHz),分析认为其介电机理属于阻挡层机制,载流子在SiC与CCTO界面处聚积,形成空间电荷极化。
王海龙
乔建房
陈德良
关莉
李明亮
张锐
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陶瓷电容器
热压烧结
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