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中国科学院科研装备研制项目(Y3YZ028001)

作品数：1 被引量：6H指数：1
相关作者：董亚斌夏洋李超波卢维尔李楠更多>>
相关机构：中国科学院大学中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：中国科学院科研装备研制项目更多>>
相关领域：化学工程更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇化学工程

主题

  • 1篇原子层沉积
  • 1篇生长速率
  • 1篇位阻
  • 1篇位阻效应

机构

  • 1篇中国科学院微...
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 1篇李楠
  • 1篇卢维尔
  • 1篇李超波
  • 1篇夏洋
  • 1篇董亚斌

传媒

  • 1篇无机材料学报

年份

  • 1篇2014
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
原子层沉积生长速率的控制研究进展被引量：6
2014年
原子层沉积生长技术(ALD)是以表面自限制化学反应为机制的薄膜沉积技术,可以一层一层地生长薄膜。该技术具有生长温度低、沉积厚度精确可控、保形性好和均匀性高等优点,逐渐成为制备薄膜材料最具发展潜力的薄膜生长技术。作为ALD技术中一个关键的指标——生长速率,不仅对沉积所得薄膜的晶体质量、致密度起重要作用,更重要的是影响集成电路的生产效率。本文综述了近年来ALD生长机制和生长速率方面的研究结果,以及ALD技术生长速率的影响因素,并分析探讨了提高和改善ALD生长速率的方法以及研究趋势。
卢维尔董亚斌李超波夏洋李楠
关键词：原子层沉积生长速率位阻效应
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