国家自然科学基金(51271071)
- 作品数：6 被引量：13H指数：2
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- 相关机构：河北工业大学重庆师范大学中国科学院更多>>
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- CuHg_2Ti型Ti_2Cr基合金的电子结构、能隙起源和磁性研究
- 2014年
- 利用第一性原理计算方法,研究了CuHg2Ti结构下Ti2CrK(K=Sb,Ge,Sn,Sb,Bi)系列合金的电子结构、能隙起源和磁性.研究发现:Ti2CrK(K=Si,Ge)合金是普通半导体材料;Ti2CrK(K=Si,Bi)合金是亚铁磁性半金属材料,其半金属性能隙受到Sb和Bi原子s态的直接影响;Ti2CrSn合金是完全补偿的亚铁磁性半导体.基于Ti2CrSn合金两个自旋方向上的能隙起源不同,通过Si和Ge替换掺杂同族Sn元素调制能隙的宽度,获得了完全补偿亚铁磁性自旋无能隙材料;通过Fe和Mn替换掺杂过渡族Cr元素获得了一系列半金属材料.Ti2Cr1-xFexSn和Ti2Cr1-xMnxSn合金都具有亚铁磁性.所研究的这些半金属性合金的分子磁矩Mtotal与总的价电子数Zt服从Mtotal=Zt-18规则.
- 贾红英代学芳王立英刘然王啸天李朋朋崔玉亭王文洪吴光恒刘国栋
- 关键词：HEUSLER合金
- 半Heusler型Na_(1-x)Cs_xAlGe(0≤x≤1)合金能带反转结构的研究被引量：2
- 2014年
- 采用第一性原理的计算方法,研究了全部由轻元素构成的半Heusler型NaAlGe合金中,掺杂元素对合金拓扑能带结构的影响.发现利用同族的Cs元素掺杂替换Na元素,能够诱导Na1-x Csx AlGe合金的能带结构由原本正常带序(0 x<0.125)转换为反转带序(0.125 x 1).基于对这一现象的深入讨论,我们提出在几乎没有自旋-轨道耦合作用的材料中,掺杂元素(Cs)是通过其离子半径的不同,进而影响晶格参数变化导致另外两种近邻原子间杂化作用发生变化,来诱导拓扑反带结构形成的.
- 王啸天代学芳贾红英王立英张小明崔玉亭王文洪吴光恒刘国栋
- 关键词：第一性原理计算拓扑绝缘体
- Heusler型X2RuPb(X=LU，Y)合金的反带结构和拓扑绝缘性被引量：5
- 2014年
- 采用第一性原理的计算方法,在不同条件下对Heusler型X2RuPb(X=Lu,Y)体系的电子结构展开研究.计算结果表明,这些合金在适当晶格变形或掺杂条件下,能够具有真正的拓扑绝缘体特性.杂化作用和自旋-轨道耦合作用都对材料产生"反带"结构发挥作用.但是针对不同成分所构成的材料,它们各自所起作用的程度有所不同,二者可以相辅相成.利用替换掺杂和四角变形双重调控方式可以更理想地进行"反带"结构调控进而获得理想的拓扑绝缘体,这对于材料的实际制备具有重要意义.
- 王啸天代学芳贾红英王立英刘然李勇刘笑闯张小明王文洪吴光恒刘国栋
- 关键词：拓扑绝缘体HEUSLER合金
- 基于反铁磁半导体的稀磁特性研究
- 自旋电子学材料作为一种同时利用电子的自旋和电荷两种属性的新型功能材料有望在未来制备出性能更加优异的器件。本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算的方法系统地研究了部分过渡族金属原子掺杂反铁磁半导体SrTcO3、SrMnO...
- 郭瑞康
- 关键词：反铁磁半导体电子结构
- 文献传递
- 过渡族与主族元素对Mn_2CoGa能带结构的双调控作用
- 2016年
- 通过第一性原理计算,研究了Mn和Sn双替位掺杂对Heusler结构Mn_2CoGa合金的能带调控作用。结果发现过渡族Mn替换Co元素掺入合金后,对两个自旋方向中的能隙有不同的影响,它能够有效的打开材料中自旋向上能带中的能隙,而对自旋向下能带中的能隙影响较小。主族Sn替换Ga元素掺入后能够极好地调整费米面的位置,并引起材料中原子自旋劈裂的变化。引入Sn元素造成的晶格膨胀则轻微地影响材料中的能隙宽度。通过成分调整,最终在Mn_(2.25)Co_(0.75)Ga_(0.5)Sn_(0.5)成分中,成功发现了自旋无带隙特性。
- 盘如静常月华斯宇豪王立英崔玉亭
- 关键词：第一性原理HEUSLER合金
- 白垩系地层深井冻结壁温度场分布规律被引量：7
- 2013年
- 西部地区主要为白垩系软岩地层，煤炭资源储量大，成为我国重要产煤区．白垩系软岩地层冻结壁温度场分布规律尚不清楚，给白垩系地层冻结法凿井设计与施工带了一定的困难．通过现场实测、室内试验和数值模拟等手段，获得了白垩系地层冻结软岩热物理参数分布规律、力学特性及深井冻结壁冻融规律．测点冻结温度场反演白垩系冻结软岩导热系数值一般介于3．328～3．465W·m。·K-1之间，现场实测表明：白垩系地层融冻时间比一般为1．0～1．2之间．研究白垩系地层冻融规律，对指导我国西部地区白垩系地层冻结法凿井设计与施工具有重要的理论参考价值．
- 周盛全陈海明
- 关键词：数值模拟冻结法凿井
- CoTiSb基体中Ni元素诱导的单自旋通道研究被引量：1
- 2016年
- 沿半Heusler结构CoTiSb合金的[001]晶体学方向,利用Ni元素连续替换一条原子链上的Ti,Sb原子,在半导体性CoTiSb基体中设计了一系列均匀分布的Ni基单原子链阵列.采用第一性原理方法,研究了Ni基单原子链的电子结构和磁性质,发现Ni-Sb单原子链具有高度自旋极化率和空穴导电特性,Ni-Ti及Ni-Ni单原子链具有100%的自旋极化率,并且在CoTiSb基体中形成了以这种Ni基单原子链为中心的、尺寸非常小的单自旋纳米柱通道.
- 常月华盘如静斯宇豪林婷婷毋志民刘国栋崔玉亭
- 关键词：单原子链第一性原理计算
