山东省自然科学基金(ZR2009AM020)
- 作品数：4 被引量：22H指数：4
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- 高迁移率非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制备与特性研究被引量：6
- 2013年
- 由于铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜具有高迁移率和高透过率的特点,它作为有源层被广泛的应用于薄膜晶体管(TFT).本文利用磁控溅射方法制备了TFT的有源层IGZO和源漏电极,用简单低成本的掩膜法控制沟道的尺寸,制备了具有高迁移率、底栅结构的n型非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO-TFT).利用X射线衍射仪(XRD)和紫外可见光分光光度计分别测试了IGZO薄膜的衍射图谱和透过率图谱,研究了IGZO薄膜的结构和光学特性.通过测试IGZO-TFT的输出特性和转移特性曲线,讨论了IGZO有源层厚度对IGZO-TFT特性的影响.制备的IGZO-TFT器件的场效应迁移率高达15.6cm2·V-1·s-1,开关比高于107.
- 李帅帅梁朝旭王雪霞李延辉宋淑梅辛艳青杨田林
- 关键词：薄膜晶体管有源层
- 基于X射线衍射物相定量分析外标法的研究被引量：4
- 2013年
- 在X射线衍射物相定量分析外标法的基础上,推导出衍射强度与粉末物相质量分数的关系式,进一步确定了衍射强度倒数与粉末物相质量分数倒数之间存在线性关系。采用氧化锌、氧化钇粉末混合物进行了验证,得出了粉末混合物中氧化锌粉末X射线衍射(101)峰积分强度倒数与氧化锌粉末质量分数倒数的线性方程,并计算了质量分数实际值与测量值的误差。
- 辛艳青杨田林宋淑梅李延辉
- 关键词：XRD外标法ZNOY2O3
- 薄膜厚度对ZnO:Y薄膜结构及光电特性影响被引量：6
- 2012年
- 室温下采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出了具有良好附着性、低电阻率和高透过率的新型ZnO∶Y(ZnO掺杂Y2O3,简称ZnO∶Y)透明导电薄膜。研究了薄膜厚度对ZnO∶Y薄膜结构、光电特性的影响。结果表明:不同厚度的ZnO∶Y薄膜均为多晶薄膜,具有ZnO六角纤锌矿结构,最佳取向为(002)方向。随薄膜厚度增加,其电阻率减小,当薄膜厚度增至800 nm时,其电阻率为8.36×10-4Ω.cm,迁移率为15.3 cm2.V-1.s-1,载流子浓度为4.88×1020cm-3。不同厚度的薄膜在可见光范围内平均透过率均为90%以上,当薄膜厚度从200 nm增加到800 nm时,薄膜禁带宽度从3.68 eV减小到3.61 eV。
- 杨田林宋淑梅辛艳青李延辉杜桂强韩圣浩
- 关键词：磁控溅射电阻率透过率
- 磁控溅射法制备非晶IGZO透明导电薄膜被引量：6
- 2013年
- 采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了IGZO薄膜,研究了IGZO薄膜的性质和制备工艺条件。重点研究了射频功率对IGZO薄膜的结构特性、光电特性的影响以及厚度对薄膜电阻率的影响。制备的IGZO薄膜最高品质因子为1.94×10-3Ω-1,对应的薄膜电阻率和透过率分别为2.6×10-3Ω·cm和87.2%。
- 梁朝旭李帅帅王雪霞李延辉宋淑梅杨田林
- 关键词：IGZO非晶薄膜透明导电膜
