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中央高校基本科研业务费专项资金(K5051205006)

作品数：1 被引量：7H指数：1
相关作者：李桂芳黄云霞郝跃李智敏施建章更多>>
相关机构：西安电子科技大学更多>>
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇第一性原理
  • 1篇第一性原理计...
  • 1篇电性能
  • 1篇微波介电
  • 1篇微波介电性能
  • 1篇介电
  • 1篇介电性
  • 1篇介电性能
  • 1篇3C-SIC
  • 1篇AL掺杂
  • 1篇掺杂

机构

  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 1篇卫晓黑
  • 1篇李培咸
  • 1篇施建章
  • 1篇李智敏
  • 1篇郝跃
  • 1篇黄云霞
  • 1篇李桂芳

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
掺铝3C-SiC电子结构的第一性原理计算及其微波介电性能被引量：7
2012年
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法,对比研究了未掺杂和Al掺杂3C-SiC材料的电子结构和介电常数.结果表明:Al掺杂后,Fermi能级进入价带,带隙宽度略为加宽,在8.2—12.4 GHz范围内介电常数大幅度增大.利用燃烧合成法制备了Al掺杂的3C-SiC粉体吸收剂,通过矢量网络分析仪测试了样品在8.2—12.4 GHz范围内的微波介电常数,验证了理论计算结果,并讨论了微波损耗机理.
李智敏施建章卫晓黑李培咸黄云霞李桂芳郝跃
关键词：第一性原理介电性能
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