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广西千亿元产业重大科技攻关工程项目(1114001-10F)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：张杨李琦张法碧王卫东更多>>
相关机构：桂林电子科技大学更多>>
发文基金：广西千亿元产业重大科技攻关工程项目博士科研启动基金广西壮族自治区自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇导通
  • 1篇导通电阻
  • 1篇电阻
  • 1篇耐压
  • 1篇耐压模型
  • 1篇击穿电压

机构

  • 1篇桂林电子科技...

作者

  • 1篇王卫东
  • 1篇张法碧
  • 1篇李琦
  • 1篇张杨

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
表面注入D-RESURF器件耐压模型被引量：1
2011年
建立表面注入双重降低表面电场(D-RESURF)结构击穿电压模型。D-RESURF器件在衬底纵向电场和Pb区附加电场的影响下,漂移区电荷共享效应增强,优化漂移区掺杂浓度增大,器件导通电阻降低。分析漂移区浓度和厚度对击穿电压的影响,获得改善击穿电压和导通电阻折中关系的途径。在满足最优表面电场和完全耗尽条件下,导出吻合较好的二维RESURF判据。在理论的指导下,成功研制出900 V的D-RESURF高压器件。
李琦王卫东张杨张法碧
关键词：击穿电压导通电阻
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