陕西省教育厅科研计划项目(08Jk487)
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
- 相关作者：张威虎吕淑媛张志勇杨延宁张富春更多>>
- 相关机构：延安大学中国科学院西北大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金陕西省教育厅科研计划项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学更多>>
- Fe掺杂SiC纳米管的电子结构和磁性
- 2010年
- 采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理方法,在局域自旋密度近似下,系统研究了Fe掺杂SiC纳米管电子结构和磁性.计算结果显示用Fe替代C时SiC纳米管显示反铁磁性,而Fe替代Si却出现铁磁性特征,是一种半金属磁性材料.形成能计算结果显示铁磁性结构比反铁磁性结构低3.2eV,Fe原子更容易替代Si原子,两种掺杂的基态都诱发了自旋极化现象.同时,掺杂的Fe原子都向管外发生了一定的弛豫,Fe替代C掺杂发生了较大的几何畸变,但掺杂并未破坏SiC纳米管整体几何结构.能带结构和态密度计算显示在费米能级附近出现了更多弥散的能级分布,特别是Fe替代Si出现了明显的自旋劈裂现象,发生了强烈的p-d杂化效应,自旋电子态密度的计算结果揭示磁矩主要来源于Fe原子未成对3d电子的贡献.这些结果表明过渡金属掺杂SiC纳米管也许是一种很有前途的磁性材料.
- 张威虎张富春张志勇吕淑媛杨延宁
- 关键词：碳化硅纳米管第一性原理掺杂磁学性质
- (9,0)单臂SiC纳米管电子结构与光学性质第一性原理研究被引量：2
- 2010年
- 采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理计算方法，计算了（9，O）单臂SiC纳米管的电子结构和光学线性响应函数，利用精确计算的能带结构和态密度分析了（9，0）单臂SiC纳米管电子结构与光学性质的内在关系。计算结果表明，（9，0）单臂SiC纳米管是一直接宽禁带半导体材料，禁带宽度达到了1．86eV，价带顶和导带底主要由C和Si原子的p轨道形成，Si—C键主要以sp2、sp3杂化轨道存在，这是SiC纳米管稳定存在的主要原因。光学性质的计算结果显示，在0～10eV的能量范围内出现了明显的介电峰，吸收带边对应于紫外波段。因此，（9，0）单臂SiC纳米管或许会成为优异的紫外半导体材料。
- 张威虎张富春张志勇吕淑媛杨延宁
- 关键词：纳米管第一性原理电子结构光学性质
