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中国博士后科学基金(20080430825)

作品数:5 被引量:8H指数:2
相关作者:何小琦陆裕东恩云飞王歆庄志强更多>>
相关机构:华南理工大学信息产业部电子第五研究所工业和信息化部电子第五研究所更多>>
发文基金:中国博士后科学基金更多>>
相关领域:电子电信金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程

主题

  • 4篇电迁移
  • 3篇互连
  • 2篇倒装芯片
  • 2篇芯片
  • 2篇互连结构
  • 2篇SNAGCU
  • 1篇倒装
  • 1篇电路
  • 1篇电路封装
  • 1篇引线
  • 1篇引线键合
  • 1篇引线键合技术
  • 1篇原子
  • 1篇三维封装
  • 1篇凸点
  • 1篇热冲击
  • 1篇金属
  • 1篇金属间化合物
  • 1篇可靠性
  • 1篇扩散

机构

  • 5篇华南理工大学
  • 4篇信息产业部电...
  • 1篇工业和信息化...

作者

  • 5篇恩云飞
  • 5篇陆裕东
  • 5篇何小琦
  • 3篇王歆
  • 2篇庄志强
  • 2篇成俊
  • 1篇万明

传媒

  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇物理学报
  • 1篇华南理工大学...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微电子学

年份

  • 2篇2011
  • 2篇2010
  • 2篇2009
5 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
倒装芯片上金属布线/凸点互连结构中原子的定向扩散被引量:2
2010年
采用倒装芯片互连凸点串联回路研究了高温、高电流密度条件下倒装芯片上金属布线/凸点互连结构中原子的定向扩散现象,分析了互连结构中受电应力和化学势梯度作用的各相金属原子的扩散行为.在电迁移主导作用下,Ni(V)镀层中的Ni原子的快速扩散导致原本较为稳定的Ni(V)扩散阻挡层发生快速的界面反应,造成Al互连金属与焊料的直接接触.Al原子在电子风力作用下沿电子流方向向下迁移造成窗口附近焊料中Al原子含量逐步上升,同时,空位的反向迁移、聚集形成过饱和,导致Al互连中形成大面积空洞.焊料中的Sn,Pb原子在化学势梯度和压应力作用下形成向上的原子通量,原子扩散方向与浓度梯度方向一致,使Al互连中形成空洞的同时,出现凸点焊料对Al互连的侵蚀现象.整个电迁移过程中,Al原子和Sn,Pb原子在各自的主导作用力的驱动下,发生着持续的互扩散,直至互连结构最终因质量通量的差异而发生开路失效.
陆裕东何小琦恩云飞王歆庄志强
关键词:倒装芯片凸点电迁移扩散
电应力对Al/SnAgCu/Cu互连结构剪切强度及断裂模式的影响
2011年
连结构的剪切失效位置和失效模式,分析了两种不同应力条件下互连结构失效形貌间的差异,研究并确定了高电流应力导致的电迁移对Al/SnAgCu/Cu互连结构剪切强度及断裂模式的影响.结果表明:高温老化实验后,倒装凸点互连结构中出现Al金属/焊料界面的脆性开裂和凸点焊料的延展性断裂两种剪切断裂模式;高温高电流应力条件下老化后,倒装凸点互连结构的剪切失效位置和断面形貌发生变化,电迁移作用导致的层状空洞和金属间化合物的异常生长成为影响倒装凸点互连结构剪切强度及失效模式的主要因素;同时,由于倒装凸点串联回路中电流方向的交替性变化,倒装凸点互连结构在加电实验中出现的两种断裂模式在回路中呈交替分布的特殊失效现象.
陆裕东万明恩云飞王歆成俊何小琦
关键词:SNAGCU互连结构机械强度金属间化合物电迁移
电迁移对倒装Sn3.0Ag0.5Cu焊点热冲击性能的影响被引量:1
2011年
采用Sn3.0Ag0.5Cu倒装芯片研究由电迁移导致的互连焊点显微结构的变化对倒装焊点热冲击性能及失效位置和形态的影响,分析导致电迁移前后焊点热冲击失效界面变化的微观机制。单纯热冲击应力作用下倒装焊点的开裂失效位于Al互连与凸点下金属化层之间,电迁移作用下,倒装焊点的热冲击失效界面发生变化,电子风力作用下空位的定向迁移是导致焊点热冲击失效界面变化的根本机制。空位在阴极附近聚集,达到过饱和后形成连续性空洞,导致焊点在阴极空洞位置发生开裂失效。宏观上焊点回路中电子流方向的交替变化导致整个串联回路中出现芯片一侧和焊盘一侧交替开裂的有规律的失效现象。
陆裕东成俊恩云飞何小琦王歆庄志强
关键词:SNAGCU焊点电迁移热冲击
Failure Modes of Sn3.0Ag0.5Cu Flip-Chip Solder Joints under Current Stress
<正>Electromigration in flip chip solder joints of Sn3.0Ag0.5Cu has been studied at current density of 2.03×104...
Yu-Dong Lu 1) Key Laboratory of Specially Functional Materials
关键词:ELECTROMIGRATION
文献传递
三维封装中引线键合技术的实现与可靠性被引量:3
2009年
结合半导体封装的发展,研究了低线弧、叠层键合、引线上芯片、外悬芯片、长距离键合和双面键合6种引线互连封装技术;分析了各种引线键合的技术特点和可靠性。传统的引线键合技术通过不断地改进,成为三维高密度封装中的通用互连技术,新技术的出现随之会产生一些新的可靠性问题;同时,对相应的失效分析技术也提出了更高的要求。多种互连引线键合技术的综合应用,满足了半导体封装的发展需求;可靠性是技术应用后的首要技术问题。
陆裕东何小琦恩云飞
关键词:引线键合集成电路封装可靠性
电迁移引起的倒装芯片互连失效被引量:2
2010年
采用倒装芯片组装菊花链器件研究了高电流密度条件下Al互连的失效问题,分析了不同电迁移条件下,由于金属原子的迁移造成的Al互连微结构的变化。在9.7×105A/cm2电流密度强度条件下,钝化窗口位置的Al原子发生电迁移,在电子风力的作用下,Al原子沿电子流方向扩散进入Al互连层下方的焊料中。同时,随着电流加载时间的延长,化学位梯度和内部应力的作用致使焊料成分向Al互连金属扩散,Al互连金属层形成空洞的同时其成分发生变化。
陆裕东何小琦恩云飞
关键词:倒装芯片电迁移互连
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