国家自然科学基金(5087706651077110)
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
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- 沟槽阻挡型阳极结构门极换流晶闸管特性研究
- 2012年
- 引入沟槽结构,提出一种改进型注入效率可控门极换流晶闸管。新结构采用沟槽型阻挡结构代替阳极表面平面型氧化薄层,实现对基区漂移电子阻挡和积累作用,保持了注入效率自调整效应,减小了平面型氧化阻挡层对阳极有效面积的影响。模拟结果表明,新结构器件实现了注入效率控制功能,增大了有效阳极接触面积并降低了通态压降;其沟槽宽度可调节注入效率和关断特性。
- 张如亮高勇黄卫斌
- 关键词：电力半导体门极换流晶闸管
- 波状p基区IEC-GCT制造工艺研究被引量：1
- 2011年
- 波状基区结构是一种电力半导体器件的最新高功率制造技术,在p基区中引入该结构可以改善IEC-GCT的RBSOA特性与门极开关均匀性。提出该器件的工艺制造方案,数值模拟结果表明建议方案可行,所得器件结构参数符合目标要求。模拟并分析了门极挖槽工艺对波状基区形状的影响及铝杂质扩散对阳极结构的影响,挖槽工艺顺序和挖槽深度对阴极掩蔽效果有显著影响,而建议方案可避免A l杂质在阳极扩散导致的连通现象。
- 张如亮高勇王彩琳苏翠
- 关键词：电力半导体器件门极换流晶闸管
