国家自然科学基金(64076407)
- 作品数：3 被引量：16H指数：3
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- 缺陷对Pt在石墨烯上吸附影响的研究被引量：8
- 2010年
- 本文利用第一原理方法计算了空位缺陷和硼(B)掺杂时对Pt在graphene上吸附的影响.结果表明:Pt在graphene上吸附的稳定位置是Pt吸附在桥位;悬挂键的存在极大的增强了Pt在graphene空位处的吸附;B替位掺杂有利于Pt原子在杂质附近的吸附.
- 戴宪起唐亚楠赵建华
- 关键词：B掺杂第一性原理
- Al,Si,P掺杂对Ge在石墨烯上吸附的影响被引量：4
- 2011年
- 利用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法研究了Al、Si和P掺杂对Ge在石墨烯上吸附的影响.Ge原子在完整石墨烯上吸附的最稳定位置为桥位,Ge的吸附改变了石墨烯中C原子的电子自旋性质;Al、Si和P掺杂石墨烯使衬底C原子发生了移动,且Si,P原子掺杂比Al掺杂石墨烯容易;杂质类型对Ge在石墨烯上的吸附位置有较大的影响,Al、Si、P掺杂增强了Ge在石墨烯上的吸附,其中Al掺杂对Ge在石墨烯上吸附的影响最大,P掺杂次之,Si掺杂最小;Ge吸附Al掺杂体系和Si掺杂体系不具有磁性,Ge吸附P掺杂体系具有磁性.
- 李艳慧刘中山赵建华赵宝戴宪起
- 关键词：石墨烯AL掺杂第一性原理
- 空位和Si掺杂对In在石墨烯上吸附的影响被引量：5
- 2011年
- 利用第一性原理方法计算了空位和Si(硅)替位掺杂对In(铟)原子在石墨烯上吸附的影响。结果表明:在低覆盖度下,空位比Si替位掺杂更能增强In在石墨烯上的吸附,主要原因在于空位引入更多的悬挂键,加强了In和石墨烯之间相互作用。而对于较高覆盖度,Si替位掺杂却比空位对In吸附在石墨烯上的影响更强。无论是较高覆盖度还是低覆盖度,空位和Si替位掺杂均增强了In在石墨烯上的吸附。
- 戴宪起孙永灿赵建华危书义
- 关键词：第一性原理空位掺杂铟硅石墨烯
