山东省优秀中青年科学家科研奖励基金(BS2009CL008)
- 作品数：5 被引量：3H指数：1
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- T型有机器件自旋注入效率的提高
- 2013年
- 考虑到有机半导体中特殊的载流子电荷自旋关系,建立了一个自旋注入有机半导体的简单的T型器件模型,运用自旋扩散理论计算得出了此模型的电流自旋极化率并与铁磁/有机半导体异质结构的注入效率进行了比较.理论计算发现T型模型中通过调节分支电流的大小会使自旋极化率较铁磁/有机半导体模型有明显的提高,并讨论了极化子比率、外加电场、自旋相关界面电阻以及有机半导体电导率等因素对电流自旋极化性质的影响.
- 宋瑞荣任俊峰窦兆涛原晓波胡贵超
- 关键词：自旋注入极化子
- 有机自旋阀的磁电阻性质研究被引量：2
- 2010年
- 考虑到有机半导体中极化子和双极化子特殊的电荷-自旋关系,从自旋扩散方程和欧姆定律出发,理论研究了"铁磁/有机半导体/铁磁"有机自旋阀结构中的磁电阻性质.计算发现,磁电阻在数值上随有机半导体层中极化子比率的增加而增大,随有机半导体层厚度的增加而迅速减小.同时发现自旋相关界面电阻能在很大程度上提高系统的磁电阻.讨论了铁磁层和有机半导体电导率比率、铁磁层极化率等对系统磁电阻性质的影响.
- 任俊峰王玉梅原晓波胡贵超
- 关键词：磁电阻极化子
- 铁磁/有机系统的自旋扩散漂移性质研究被引量：1
- 2010年
- 基于自旋扩散漂移方程和欧姆定律,理论研究了电场对铁磁/有机半导体界面的电流自旋极化性质的影响.考虑到有机半导体内特殊的载流子以及电场对其自旋扩散长度的影响,计算了界面处的电流自旋极化率.结果表明,高电场可以使界面处的电流自旋极化率得到有效提高.同时还进一步研究了电场下有机半导体中极化子比率、自旋相关界面电阻等因素对电流自旋极化的影响.
- 王玉梅任俊峰原晓波修明霞胡贵超
- 关键词：自旋电子学有机半导体
- 肖特基势垒对铁磁/有机半导体结构自旋注入性质的影响
- 2010年
- 理论研究了铁磁/有机半导体肖特基接触时的电流自旋极化注入,并讨论了电流自旋极化率随界面处肖特基势垒高度、有机半导体层中特殊载流子及其迁移率、界面附近掺杂浓度的变化关系.通过计算发现,寻找在势垒区中载流子迁移率比较大的有机半导体材料对实现有效的自旋注入是必要的;同时还发现,由于铁磁/有机半导体接触而形成的肖特基势垒不利于自旋注入.因此要想实现有效的自旋注入,界面附近必须采用重掺杂来有效减少势垒区的宽度,且势垒的高度要限制在一定的范围内.
- 修明霞任俊峰王玉梅原晓波胡贵超
- 关键词：肖特基势垒
- 有机器件电流自旋极化放大性质研究
- 2012年
- 基于自旋扩散漂移方程,考虑到电场的影响及有机半导体中特殊的载流子电荷自旋关系,对一个简单的T型结构有机自旋器件模型进行了理论研究,得出了此有机器件的电流自旋极化放大率表达式.研究表明,器件中极化子比率、电场和电流密度都会影响器件的电流自旋极化放大率,通过调节此有机器件的电场和极化子比率可以获得较大的电流自旋极化放大率.
- 窦兆涛任俊峰王玉梅原晓波胡贵超
- 关键词：自旋注入
