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P型GaN和AlGaN外延材料的制备被引量：1: 2000年; 研究了MOVPE方法外延P型GaN和Al0 13Ga0 87N的生长工艺 ,包括掺杂剂量和热退火条件 ,对材料电学性质的影响。得到了性能优良的P型材料 ,并研制了InGaN/AlGaN双异质结蓝光发光二极管。; 刘祥林王成新韩培德陆大成王晓晖汪度王良臣; 关键词：P型 GAN ALGAN 双异质结蓝光发光二极管

高迁移率AlGaN-GaN二维电子气: 2000年; 用金属有机物气相外延 (MOVPE)方法在 (0 0 0 1)蓝宝石衬底上生长了AlxGa1 xN/GaN二维电子气 (2DEG)结构。Al0 13Ga0 87N (70 0nm ) /GaN(6 0 0nm)异质结的室温电子迁移率达 10 2 4cm2 /Vs ,而GaN体材料的室温电子迁移率为 390cm2 /Vs;该异质结的77K电子迁移率达 350 0cm2 /Vs ,而GaN体材料的电子迁移率在 185K下达到峰值 ,为4 90cm2 /Vs ,77K下下降到 2 50cm2 /Vs。 2DEG的质量属国内领先水平 ,并接近国际领先水平。; 刘祥林王成新韩培德; 关键词：GAN 2DEG MOVPE

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国家高技术研究发展计划(8637150010010)