您的位置: 专家智库 > >

国家自然科学基金(50962007)

作品数:28 被引量:87H指数:5
相关作者:李月明沈宗洋王竹梅洪燕刘虎更多>>
相关机构:景德镇陶瓷学院宁波东联密封件有限公司昆山攀特电陶科技有限公司更多>>
发文基金:国家自然科学基金江西省自然科学基金江西省主要学科学术和技术带头人培养计划更多>>
相关领域:化学工程一般工业技术电气工程理学更多>>

文献类型

  • 28篇中文期刊文章

领域

  • 14篇化学工程
  • 10篇一般工业技术
  • 8篇电气工程
  • 3篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 20篇陶瓷
  • 19篇压电
  • 19篇压电陶瓷
  • 19篇无铅
  • 19篇无铅压电
  • 19篇无铅压电陶瓷
  • 15篇铌酸
  • 15篇铌酸钾钠
  • 6篇熔盐法
  • 5篇片状
  • 5篇NA
  • 4篇X
  • 3篇电性能
  • 3篇性能研究
  • 3篇织构化
  • 3篇准同型相界
  • 3篇流延
  • 3篇NBO
  • 2篇电性能研究
  • 2篇压电性

机构

  • 28篇景德镇陶瓷学...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇昆山攀特电陶...
  • 1篇宁波东联密封...

作者

  • 26篇李月明
  • 21篇沈宗洋
  • 20篇王竹梅
  • 15篇洪燕
  • 10篇刘虎
  • 9篇李润润
  • 9篇廖润华
  • 5篇谢志翔
  • 4篇江良
  • 4篇肖祖贵
  • 4篇谢俊
  • 3篇吴芬
  • 2篇汪靓
  • 2篇王进松
  • 2篇刘志
  • 2篇苏琳琳
  • 2篇刘维良
  • 2篇杜洁
  • 2篇张华
  • 1篇顾幸勇

传媒

  • 9篇人工晶体学报
  • 4篇硅酸盐通报
  • 4篇陶瓷学报
  • 3篇中国陶瓷
  • 3篇材料导报
  • 2篇稀有金属材料...
  • 2篇硅酸盐学报
  • 1篇无机材料学报

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 5篇2013
  • 4篇2012
  • 11篇2011
  • 5篇2010
28 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
溶胶-凝胶自蔓延法合成六方相ZnTiO_3粉体被引量:3
2011年
以柠檬酸为络合剂,乙二醇为溶剂,用溶胶凝胶-自蔓延法合成出了六方相ZnTiO_3纳米粉体。通过热分析(DTA/TG),X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)分析探讨了煅烧温度和保温时间对六方相ZnTiO_3纳米粉体的形成和粉末晶粒尺寸大小的影响。研究结果表明,干凝胶在400℃以下燃烧基本完全,在800℃保温60min可以得到颗粒尺寸大小为80nm的纯六方相ZnTiO_3纳米粉体。
朱雁风刘维良武安华
关键词:纳米粉体
微波水热辅助法制备铌酸钾钠基无铅压电陶瓷被引量:2
2011年
以Nb2O5、NaOH和KOH为原料,采用微波辅助水热法,在起始摩尔比n(NaOH):n(KOH)=1.4:4.6、200℃反应30min,制备(K0.45Na0.55)NbO3(KNN)粉体,系统研究烧成温度对KNN陶瓷性能的影响。研究表明,在1 090℃保温2 h获得的纯KNN陶瓷具有较好的性能:体积密度ρV=4.235 g/cm3,压电常数d33=142 pC/N,机电耦合系数kp=0.376,介电常数εT33/ε0=426,机械品质因数Qm=82,Curie温度θC=410℃,剩余极化强度Pr=17.45μC/cm2,矫顽场Ec=1.41kV/mm,综合性能高于由水热法、固相法和熔盐法合成粉体制备的KNN陶瓷的性能。
李月明刘虎沈宗洋王竹梅洪燕李润润
关键词:铌酸钾钠压电陶瓷
(1-4x)NBT-3xKBT-xBT系压电陶瓷电性能研究被引量:1
2010年
采用传统固相法制备了(1-4x)NBT-3xKBT-xBT(x=0.020~0.035)体系压电陶瓷。采用XRD分析发现该体系陶瓷都能形成单一的钙钛矿型固溶体,并在0.025≤x≤0.032范围内具有三方和四方共存结构,为该体系的准同型相界。当x=0.028时,d33=162pC/N,Qm=203.29,kp=0.234。电滞回线分析表明,(1-4x)NBT-3xKBT-xBT体系陶瓷随着KBT和BT含量的增加具有从铁电体向反铁电体转变的趋势。
廖润华李月明杜洁江向平陈少华
关键词:准同型相界无铅压电陶瓷
微波-水热法制备无铅压电陶瓷粉体
2012年
综述了微波-水热法合成无铅压电陶瓷粉体的优越性,指出了无铅压电陶瓷制备工艺的重要性。介绍了无铅压电陶瓷粉体的制备方法及其优缺点和微波-水热法合成粉体的由来,阐述了微波-水热法合成无铅压电陶瓷粉体的作用原理、微波液相合成技术的特点和微波-水热法制备无铅压电陶瓷粉体的工艺参数。探讨了微波-水热法制备无铅压电陶瓷粉体对陶瓷性能的影响,同时,提出了该新路线有待解决的问题并展望了该领域未来的发展方向。
苏琳琳李月明沈宗洋王竹梅洪燕刘志
关键词:无铅压电陶瓷粉体
流延法制备铌酸钾钠无铅压电陶瓷的工艺研究
2011年
以Na2CO3,K2CO3,Nb2O5等为原料,采用固相法合成了K0.5Na0.5NbO3的粉体,并以此粉体为主要原料,添加适量的分散剂、粘结剂及除泡剂制备浆料,采用流延法制备K0.5Na0.5NbO3膜片,研究了K0.5Na0.5NbO3固相含量、分散剂、粘结剂及除泡剂的种类及含量对流延浆料流延性能和对K0.5Na0.5NbO3陶瓷的影响。实验结果表明:流延膜的厚度在0.3mm时,选用三乙醇胺作分散剂效果最好,当固相含量在55wt%时,分散剂用量在2%时浆料的粘度为2000mPa.s,适合于流延工艺;粘结剂PVB的含量在8%时膜片强度较高。
李月明张小娜刘虎廖润华王竹梅沈宗洋
关键词:铌酸钾钠无铅压电陶瓷流延法
二氧化硫脲为硫源制备硫掺杂二氧化钛及其光催化活性被引量:5
2011年
以钛酸四丁酯为TiO2的前驱物,二氧化硫脲为掺杂硫的源物质,采用溶胶-凝胶法制备了掺硫改性的TiO2光催化剂。采用XRD对制备的掺硫二氧化钛结构进行了表征,探讨了溶胶-凝胶制备工艺、硫掺杂量及催化剂煅烧温度对该催化剂光催化活性的影响。结果表明,掺硫改性的TiO2经600℃煅烧后光催化活性有了明显提高,且硫的掺杂有一个最佳值,即二氧化硫脲的掺杂质量百分数为4%。经掺硫改性后的TiO2在可见光区具备更强的光催化活性,在波长不低于400nm的可见光作用下,对亚甲基蓝的4 h降解率最高可达89.5%。
王竹梅李月明沈宗洋洪燕左建林
关键词:二氧化硫脲硫掺杂二氧化钛光催化
熔盐法制备片状Sr_2Bi_4Ti_5O_(18)晶粒被引量:7
2013年
采用熔盐法制备了具有各向异性片状结构的Sr2Bi4Ti5O18晶体,利用XRD,SEM等测试分析手段对熔盐反应产物的晶体结构和显微形貌进行了表征。研究结果表明:当采用KCl-NaCl混合熔盐,熔盐与总反应物的质量比为1:1,1100℃保温3 h时,可以制备出纯的Sr2Bi4Ti5O18粉体,扫描电镜照片显示Sr2Bi4Ti5O18晶粒呈片状形貌,其晶粒长宽为5~25μm、厚度约为0.2μm左右,且分散性较好;XRD图谱显示晶粒在(00l)晶面择优生长,该方法所合成的片状晶粒可作为织构化陶瓷的模板。
谢俊李月明洪燕沈宗洋谢志翔王竹梅
关键词:熔盐法
(K_(0.45+x)Na_(0.55-x))_(0.98)Li_(0.02)(Nb_(0.77)Ta_(0.18)Sb_(0.05))O_3-0.05BaZrO_3无铅压电陶瓷的工艺对性能的影响
2013年
采用传统固相反应烧结法,以(K0.45+xNa0.55-x)0.98Li0.02(Nb0.77Ta0.18Sb0.05)O3-0.005BaZrO3无铅压电陶瓷为研究对象,研究K/Na比例、粉体合成温度、烧结温度、极化工艺条件对压电陶瓷性能的影响,以及退火温度和老化时间对材料性能稳定性的影响。结果表明:该体系陶瓷粉体的合成温度为850℃。烧结温度为1130℃,x=0.04时陶瓷的压电常数d33可达372 pC/N,机电耦合系数kp达0.465。合理的极化条件为极化电压4 kV/mm,极化时间25min,极化温度120℃。压电陶瓷在125℃下具有较好的温度稳定性,但时间稳定性较差,放置300 d后压电常数才能稳定。
李月明肖祖贵沈宗洋洪燕王竹梅谢志翔
关键词:无铅压电陶瓷铌酸钾钠
钠过量对K_(0.49)Na_xNbO_3陶瓷结构及其性能的影响被引量:2
2011年
采用传统固相反应法制备了K0.49NaxNbO3(x=0.51~0.54)系无铅压电陶瓷,系统研究了Na过量对K0.49NaxNbO3陶瓷结构与压电、铁电性能的影响。研究结果表明:在研究的Na过量范围内,陶瓷样品具有单一的正交钙钛矿型晶体结构,但在x=0.52~0.53处晶格常数出现不连续的变化过程,表明该体系存在由两个不同正交晶相构成的准同型相界(MPB),在MPB区域边界x=0.52处陶瓷具有优异的性能:d33=142 pC/N,Qm=146,εr=462,tanδ=0.026,kp=0.39。
李月明汪靓江良沈宗洋王竹梅洪燕廖润华
关键词:铌酸钾钠无铅压电陶瓷压电性能准同型相界
ZnO和CuO烧结助剂对KNN压电陶瓷性能的影响被引量:9
2011年
以微波水热法制备的KNN粉体为原料,添加1mol%ZnO、1mol%CuO烧结助剂,采用传统电子陶瓷制备方法,研究了烧结助剂对KNN陶瓷的陶瓷体积密度、显微结构和电性能的影响,结果表明:添加烧结助剂ZnO和CuO可以降低KNN陶瓷的烧结温度,提高KNN陶瓷的体积密度;与此同时,ZnO和CuO添加后降低了KNN无铅压电陶瓷的压电常数d33、介电常数ε33T/ε0,但机械品质因数Qm得到很大的提高,介电损耗tanδ明显降低。其中CuO烧结助剂可以使KNN陶瓷的d33由142 pC/N降低至118 pC/N,Qm值由82提高至427,tanδ由2.46%降低至0.64%。
李月明刘虎沈宗洋洪燕王竹梅李润润
关键词:铌酸钾钠无铅压电陶瓷烧结助剂ZNOCUO
共3页<123>
聚类工具0