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国家高技术研究发展计划(2002AA311170)

作品数：2 被引量：3H指数：1
相关作者：金鹏王占国叶小玲李凯李若园更多>>
相关机构：中国科学院北京工业大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇GAAS
  • 1篇湿法
  • 1篇湿法氧化
  • 1篇腔面
  • 1篇量子
  • 1篇量子环
  • 1篇面发射
  • 1篇面发射激光器
  • 1篇激光
  • 1篇激光器
  • 1篇发射激光器
  • 1篇反射镜
  • 1篇分布布拉格反...
  • 1篇分布布拉格反...
  • 1篇分布布拉格反...
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇XGA
  • 1篇INAS
  • 1篇布拉格反射镜

机构

  • 2篇中国科学院
  • 1篇北京工业大学

作者

  • 2篇王占国
  • 2篇金鹏
  • 1篇郭霞
  • 1篇李凯
  • 1篇叶小玲
  • 1篇陈敏
  • 1篇张春玲
  • 1篇李若园

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2005
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
Al_xGa_(1-x)As/GaAs分布布拉格反射镜的湿法氧化(英文)被引量：1
2005年
对垂直腔面发射激光器(VCSEL)的AlxGa1-xAs/GaAs分布布拉格反射镜(DBR)进行了高温湿法氧化.由于AlxGa1-xAs层的氧化产生了应力而导致Al2O3/GaAs界面处出现了孔洞.这些孔洞反过来又缓解了应力而使氧化层的厚度只收缩了8%而不是理论上的20%.并且,随着氧化时间的延长,湿法氧化反应中的反应物和产物沿着多孔界面在氧化物中的传输越充分,从而使AlGaAs层的氧化进行的越完全,氧化质量就越好.
李若园王占国徐波金鹏张春玲郭霞陈敏
关键词：垂直腔面发射激光器分布布拉格反射器
GaAs基上的InAs量子环制备被引量：2
2006年
在分子束外延系统中,利用3nmGaAs薄盖层将InAs自组装量子点部分覆盖,然后在500°C以及As2气氛中退火一分钟,制成纳米尺度的InAs量子环。这一形成敏感地依赖于退火时的生长条件和生长InAs自组装量子点时的淀积量。InAs在GaAs表面的扩散以及同时发生的In-Ga互混控制着InAs量子环的形成。
李凯叶小玲金鹏王占国
关键词：分子束外延
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共1页<1>
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