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电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金(KFJJ201006)

作品数:1 被引量:2H指数:1
相关作者:安文黄晓东蒋晓娜余忠李雪更多>>
相关机构:电子科技大学更多>>
发文基金:电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇损耗
  • 1篇特性分析
  • 1篇铁氧体
  • 1篇功耗
  • 1篇功率
  • 1篇功率铁氧体
  • 1篇高频
  • 1篇MNZN功率...

机构

  • 1篇电子科技大学

作者

  • 1篇兰中文
  • 1篇孙科
  • 1篇李雪
  • 1篇余忠
  • 1篇蒋晓娜
  • 1篇黄晓东
  • 1篇安文

传媒

  • 1篇磁性材料及器...

年份

  • 1篇2012
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
MnZn功率铁氧体高频功耗特性分析被引量:2
2012年
采用氧化物陶瓷工艺制备了2~4MHz频段高频开关电源用MnZn功率铁氧体,通过对铁氧体断面显微结构、密度和磁特性的测试,研究了Fe2O3含量对MnZn功率铁氧体功率损耗特性的影响。结果表明,随着Fe2O3含量的增加,晶粒尺寸逐渐减小,常温下3MHz、10mT高频损耗(Pcv)先增大后减小,Fe2O3含量从58mol%增加到59 mol%时,损耗下降非常明显,而在100℃时,铁氧体的剩余损耗逐渐降低,导致总损耗随着Fe2O3含量的增加而减小。随着频率的升高,剩余损耗(Pr)占总损耗的比重逐渐增加,成为损耗的主要部分,而磁滞损耗(Ph)占总损耗的比重逐渐降低,涡流损耗(Pe)所占比重变化不明显。
黄晓东余忠孙科蒋晓娜李雪安文兰中文
关键词:MNZN功率铁氧体高频损耗
共1页<1>
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