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国家高技术研究发展计划(2013AA031603)

作品数：2 被引量：9H指数：1
相关作者：施尔畏刘熙陈建军严成锋孔海宽更多>>
相关机构：中国科学院中国科学院大学更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划中国科学院知识创新工程重要方向项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 1篇堆积密度
  • 1篇退火
  • 1篇退火处理
  • 1篇粒径
  • 1篇晶片
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体生长
  • 1篇高纯
  • 1篇SIC
  • 1篇SIC晶体
  • 1篇6H-SIC
  • 1篇AFM
  • 1篇AR

机构

  • 2篇中国科学院
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 2篇严成锋
  • 2篇陈建军
  • 2篇刘熙
  • 2篇施尔畏
  • 1篇郑燕青
  • 1篇忻隽
  • 1篇高攀
  • 1篇杨建华
  • 1篇姜涛
  • 1篇孔海宽

传媒

  • 2篇人工晶体学报

年份

  • 2篇2013
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
Ar气氛下退火处理对6H-SiC晶片表面结构的影响被引量：1
2013年
本文对物理气相传输法生长的三片2英寸掺氮6H-SiC晶片,分别在不同温度下进行退火处理。采用原子力显微镜(AFM)对SiC晶片表面结构进行表征,研究了不同温度和偏角度对SiC晶片表面结构的影响。发现Ar气氛下高温退火处理可以在晶片表面形成规则的台阶条纹,说明Ar气氛下的高温退火处理对SiC晶片表面有一定的刻蚀作用。
姜涛严成锋陈建军刘熙杨建华施尔畏
关键词：6H-SIC退火AFM
用于SiC晶体生长的高纯原料的合成及性能研究被引量：8
2013年
SiC原料的纯度、粒径和晶型直接影响生长单晶的结晶质量和电学性质,尤其是高纯半绝缘本征SiC晶体的制备需要使用高纯SiC原料。本文采用超高温真空烧结炉,选择Si粉和C粉作为反应物,通过XRD、SEM、激光粒度测试仪和GDMS等测试手段研究了合成温度、压强、时间及原料配比等工艺条件对SiC颗粒成核、生长、晶型、粒径及堆积密度等综合性能的影响。结果表明,自合成的SiC原料一致性好、颗粒度均匀、纯度达到或超过5N。最后,使用自合成原料进行晶体生长,进一步证实其完全满足高质量半绝缘SiC晶体的制备。
高攀刘熙严成锋忻隽陈建军孔海宽郑燕青施尔畏
关键词：SIC晶体粒径堆积密度
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