国家教育部博士点基金(350163)
- 作品数：3 被引量：5H指数：1
- 相关作者：张运炎范广涵章勇郑树文更多>>
- 相关机构：华南师范大学更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金广东省粤港关键领域重点突破项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 掺杂GaN间隔层对双波长发光二极管光谱调控作用的研究被引量：1
- 2011年
- 采用软件理论分析的方法对p型及n型掺杂的GaN间隔层在InGaN/GaN多量子阱双波长发光二极管中对光谱调控作用进行模拟分析.分析结果表明,掺杂的GaN间隔层的引入,可以有效地控制各阱中的电子或空穴浓度,很好地解决了双波长发光二极管中两种阱发光强度不均的问题,并且通过控制阻挡层的厚度,可以调控两种阱中的载流子浓度,从而调控发光峰的相对强度.这些可以归因于掺杂GaN间隔层对电子或空穴的阻挡作用.
- 张运炎范广涵章勇郑树文
- 关键词：GAN间隔层数值模拟
- 不同掺杂类型的GaN间隔层和量子阱垒层对双波长LED作用的研究被引量：1
- 2011年
- 采用软件理论分析的方法对不同掺杂类型的GaN间隔层和量子阱垒层在InGaN/GaN多量子阱双波长发光二极管中对发光光强、内量子效率、电子空穴浓度分布、溢出电流等作用进行模拟分析.分析结果表明,p型掺杂的GaN间隔层与量子阱垒层的引入同不掺杂和n型掺杂两种类型比较,可以大大减少溢出电子流,极大地提高各量子阱内空穴浓度,提高双波长发光二极管的发光强度,极大的改善内量子效率随电流增大而下降问题.
- 张运炎范广涵
- 关键词：GAN数值模拟
- 量子阱数量变化对双波长LED作用的研究被引量：3
- 2011年
- 采用软件理论分析的方法分析了InGaN/GaN量子阱数量变化对双波长发光二极管发光光谱、内量子效率、电子空穴浓度分布、溢出电流等产生的影响.分析结果表明,量子阱数量的增加会引起载流子分配不均的现象,所以量子阱数量的增加并不能有效地提升载流子复合率、内量子效率和发光强度,还会引起开启电压升高的现象,影响能量转化效率.此外,不同发光波长的量子阱数量的增加会引起发光光谱强度的变化.
- 张运炎范广涵
- 关键词：数值模拟
