教育部“新世纪优秀人才支持计划”(NCET-08-0029)
- 作品数：2 被引量：18H指数：2
- 相关作者：黄安平王玫肖志松郑晓虎贾林楠更多>>
- 相关机构：北京航空航天大学更多>>
- 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信更多>>
- 高k介质在新型半导体器件中的应用被引量：4
- 2012年
- 当CMOS器件特征尺寸缩小到45 nm以下,SiO_2作为栅介质材料已经无法满足性能和功耗的需要,用高k材料替代SiO_2是必然选择.然而,由于高k材料自身存在局限性,且与器件其他部分的兼容性差,产生了很多新的问题如界面特性差、阈值电压增大、迁移率降低等.本文简要回顾了高k栅介质在平面型硅基器件中应用存在的问题以及从材料、结构和工艺等方面采取的解决措施,重点介绍了高k材料在新型半导体器件中的应用,并展望了未来的发展趋势.
- 黄力黄安平郑晓虎肖志松王玫
- 关键词：高K材料FINFET
- 界面效应调制忆阻器研究进展被引量：14
- 2012年
- 忆阻器因其优异的非易失存储特性,且具有结构简单、存储速度快、能耗低、集成度高等优势,在新型电子器件研究领域引起了广泛关注.本文从忆阻器结构出发,对忆阻器主要材料、机理等进行了综述,介绍了忆阻器在电子电路及人工智能等领域的研究进展,重点讨论了界面效应对忆阻行为及性能改善等方面的重要作用,提出了界面纳米点嵌入结构对优化忆阻性能的显著效果,并分析了忆阻器可能的发展趋势.
- 贾林楠黄安平郑晓虎肖志松王玫
