甘肃省自然科学基金(3ZS051-A25-034)
- 作品数：9 被引量：27H指数：2
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- 静电感应晶闸管的负阻转折特性被引量：1
- 2007年
- 针对静电感应晶闸管SITH在正向阻断态下加负栅压,当阳极电压增加到一定程度后I-V特性出现负阻转折的特性,以一种全新的角度,从SITH的作用机理出发,考虑双注入效应,考虑载流子寿命的变化,对负阻现象进行了物理分析,并计算了负阻转折电压和转折电流.
- 唐莹刘肃李思渊胡冬青常鹏杨涛
- 关键词：SITH少子寿命
- P型SiC欧姆接触高温可靠性的研究进展
- 2007年
- 介绍了P型碳化硅(SiC)欧姆接触在高温应用时的可靠性问题。首先,对在P型SiC上实现欧姆接触的工艺方法进行了综述,讨论了如何克服费米钉扎等关键问题;其次,在了解如何实现欧姆接触工艺的基础上,研究了影响该材料高温稳定工作的原因。从材料、工艺两方面总结了如何提高接触可靠性的方法,并尝试性提出了改进思路。
- 赵晨光刘肃姜岩峰
- 关键词：电力半导体器件碳化硅
- ZnO纳米线的低温生长及其发光特性(英文)被引量：2
- 2007年
- 采用电场辅助电化学沉积的方法在阳极氧化铝模板中沉积出ZnO纳米线阵列.透射电子显微镜和X射线衍射测试结果表明,制备的纳米线是单晶ZnO纳米线,形貌均匀,直径大约为60nm,并且择优于(101)晶面.对生长过程中所加的辅助电场的作用给出了初步解释.光致发光谱表明,在350～650nm范围内存在一个很宽的发光峰.
- 常鹏刘肃陈溶波唐莹韩根亮
- 关键词：ZNO电化学纳米线PL谱
- 硫掺杂ZnO纳米线的电化学制备及发光特性
- ＜正＞氧化锌（ZnO）是Ⅱ一Ⅵ族半导体材料,室温下具有较宽的能带隙（3.37 eV）和极高的激子激发能（60 meV）meV,这些本征的优点使其在紫外光电子方面有巨大的应用价值。而一维 ZnO 纳米线因其优异的光学性能、...
- 王秀华常鹏陈溶波尹小丽刘肃
- 文献传递
- 电场辅助电化学法沉积ZnO纳米线被引量：7
- 2008年
- 采用电场辅助电化学沉积的方法成功的在阳极氧化铝模板中沉积出ZnO纳米线阵列。透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)测试结果表明,制备的纳米线是单晶ZnO纳米线,形貌均匀,直径大约为60nm,并且择优于(101)晶面。我们对生长过程中所加辅助电场的作用给出了初步的解释。
- 常鹏刘肃陈容波唐莹韩根亮
- 关键词：ZNO纳米线电化学沉积PL谱
- 水热法制备硫化锌纳米线及性能研究被引量：15
- 2007年
- 采用水热法成功制备出准一维的硫化锌单晶纳米线。XRD图谱显示,实验制备的硫化锌纳米线是纤锌矿结构,择优c轴即(002)晶面生长。TEM显示硫化锌纳米线长度达几十微米,最大直径约为50nm,有些纳米线的直径在20nm左右。SAED图显示实验得到的是单晶硫化锌纳米线,HRTEM图片中可以明显看到原子晶面排列,测量得出晶面间距为0.313nm,对应于ZnS的(001)晶面。文中研究了硫化锌纳米线的光致发光特性并对发光机制进行了探讨。
- 常鹏刘肃王秀华唐莹
- 关键词：水热法单晶光致发光
- 一种新型结构的静电感应晶体管被引量：1
- 2007年
- 提出了一种新型结构的静电感应器件,设计了一道环绕的深槽,用以切断寄生效应.静电感应器件的寄生效应会导致器件性能的劣化甚至失效,文中提出了寄生效应的模型,并用PSPICE进行了仿真模拟,数值模拟结果和实验结果一致.实验表明这种深槽结构能够有效截断寄生路径,消除寄生电流的影响,优化器件性能.同时,文章详细描述了这种器件的设计和制造工艺.
- 唐莹刘肃李思渊吴蓉常鹏
- 关键词：静电感应晶体管寄生效应
- 视频解码器中多路并行输出的硬件实现
- 本文提出了一种支持AVS和H.264/AVC两种标准的解码器中多路并行输出的DF（Display Feeder）硬件结构,这种结构采用多路并行帧缓存和三级片上缓存的方法,使得片外存储器数据带宽减少25%且数据读取速率提高...
- 陈溶波刘肃尹晓丽
- 关键词：AVSH.264/AVC帧缓存
- 文献传递
- 用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上生长AlGaAs材料被引量：1
- 2007年
- 采用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上制备了一系列生长温度和As2/Ga束流等效压强比不同的样品,通过室温光致发光谱、高分辨X射线衍射仪和低温光致发光谱对这些样品进行了分析,找到了在GaAs(110)衬底上生长高质量高Al组分的Al0.4Ga0.6As生长条件.
- 刘林生王文新刘肃赵宏鸣刘宝利蒋中伟高汉超王佳黄庆安陈弘周均铭
- 关键词：分子束外延砷化镓衬底
- 关于RHEED振荡技术优化GaAs(110)量子阱生长的研究
- 2007年
- 在GaAs(110)衬底上生长的半导体材料有诸多优良性能,使得在非极性GaAs(110)衬底上获得高质量各类异质结材料,成为近年来分子束外延生长关注的课题.考虑GaAs(110)表面是Ga和As共面,最佳生长温度窗口很小;反射式高能电子衍射的(1×1)再构图案对生长温度和V/Ⅲ束流比不敏感,难于通过观察再构图案的变化,准确地找到最佳生长条件.作者在制备GaAs(110)量子阱过程中,观察到反射式高能电子衍射强度振荡呈现出的单双周期变化.这意味着不同工艺条件下,在GaAs(110)衬底上量子阱有单层和双层两种生长模式.透射电子显微镜和室温光致荧光光谱测量结果表明:在双层生长模式下量子阱样品光学性能较差,而在单层生长模式下量子阱光学性能较好,但是界面会变粗糙.利用这一特点,我们采用反射式高能电子衍射强度振荡技术,找到了一种在GaAs(110)衬底上生长高质量量子阱的可行方法.
- 刘林生刘肃王文新赵宏鸣刘宝利蒋中伟高汉超王佳黄庆安陈弘周均铭
- 关键词：反射高能电子衍射分子束外延
