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国家自然科学基金(60770651)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：金冬月沈珮谢红云王扬更多>>
相关机构：北京工业大学更多>>
发文基金：北京市教委科技发展计划模拟集成电路国家重点实验室开放基金北京市自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇异质结
  • 1篇异质结双极晶...
  • 1篇英文
  • 1篇双极晶体管
  • 1篇晶体管
  • 1篇功率
  • 1篇非均匀
  • 1篇SIGE_H...
  • 1篇SIGE

机构

  • 1篇北京工业大学

作者

  • 1篇王扬
  • 1篇谢红云
  • 1篇沈珮
  • 1篇金冬月

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
非均匀条间距结构功率SiGe HBT(英文)被引量：1
2007年
成功研制出非均匀发射极条间距功率SiGe异质结双极晶体管(HBT)用以改善功率器件热稳定性.实验结果表明,在相同的工作条件下,与传统的均匀发射极条间距HBT相比,非均匀结构HBT的峰值结温降低了22K.在不同偏置条件下,非均匀结构SiGeHBT均能显著改善芯片表面温度分布的非均匀性.由于峰值结温的降低以及芯片表面温度分布非均匀性的改善,采用非均匀发射极条间距结构的功率SiGeHBT可以工作在更高的偏置条件下,具有更高的功率处理能力.
金冬月张万荣沈珮谢红云王扬
关键词：SIGE异质结双极晶体管功率
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