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国家自然科学基金(11274029)

作品数:6 被引量:11H指数:2
相关作者:王如志严辉宋雪梅王波陈程程更多>>
相关机构:北京工业大学湘潭大学北京市产品质量监督检验院更多>>
发文基金:国家自然科学基金北京市科技新星计划北京市科技计划项目更多>>
相关领域:理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 14篇会议论文
  • 6篇期刊文章

领域

  • 12篇一般工业技术
  • 5篇理学
  • 4篇电子电信
  • 4篇电气工程
  • 2篇化学工程

主题

  • 9篇纳米
  • 8篇场发射
  • 5篇纳米线
  • 4篇电池
  • 4篇性能研究
  • 4篇太阳能电池
  • 4篇硅太阳能电池
  • 4篇发光
  • 4篇YB
  • 4篇GAN
  • 3篇上转换发光
  • 3篇稀土
  • 3篇稀土离子
  • 3篇离子
  • 3篇PECVD
  • 3篇GAN纳米线
  • 2篇杨氏模量
  • 2篇太阳能
  • 2篇铝镓氮
  • 2篇脉冲激光

机构

  • 19篇北京工业大学
  • 1篇湘潭大学
  • 1篇北京市产品质...
  • 1篇北京计算科学...

作者

  • 16篇王如志
  • 13篇严辉
  • 5篇盖红
  • 5篇王波
  • 4篇林捷
  • 4篇沈震
  • 3篇陈程程
  • 2篇宋雪梅
  • 2篇宋志伟
  • 1篇张跃飞
  • 1篇赵军伟
  • 1篇曹觉先
  • 1篇刘立英
  • 1篇曲铭浩
  • 1篇饶雪
  • 1篇张影

传媒

  • 4篇物理学报
  • 4篇第二届海峡两...
  • 2篇中国电子学会...
  • 2篇2016真空...
  • 1篇北京工业大学...
  • 1篇Chines...
  • 1篇第十三届固态...

年份

  • 5篇2016
  • 5篇2015
  • 5篇2014
  • 5篇2013
6 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
调控BN材料力学性能:闪锌矿/纤锌矿异质结构
本研究使用第一性原理系统研究闪锌矿(zb)/纤锌矿(wz)异质结构对BN超晶格材料力学性能的影响。本工作中构建了[111]zb/[0001]wz-BN的超晶格结构,其中x=0,1,2?,10。研究表明纤锌矿结构BN材料(...
明帮铭王如志
关键词:BN杨氏模量
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退火时间对SiC基GaN纳米薄膜场发射性能的影响
采用脉冲激光沉积(PLD)方法在SiC基底上制备了系列相同厚度的GaN纳米薄膜,并将其进行不同时间的退火并对其进行了微结构表征及场发射性能测试分析,结果表明:退火时间对于GaN薄膜微结构及场发射性能具有显著的影响。随着退...
陈程程王如志王波严辉
关键词:SICGAN退火温度场发射
文献传递
Y_2O_3:Bi,Yb减反转光薄膜制备及其性能研究
采用脉冲激光沉积(PLD)方法在湿法腐蚀后的Si(100)衬底上成功制备出了Y_2O_3:Bi,Yb减反转光薄膜。所制备的薄膜在300-800nm可见光波长范围内的平均反射率普遍低于12%,相较裸硅的平均反射率47.8%...
林捷王如志盖红王波严辉
关键词:晶体硅太阳能电池BI
文献传递
Ⅲ氮化物半导体结构设计与预测
Ⅲ族氮化物半导体因其广阔的应用前景引起了研究者重视与关注。采用第一性原理计算与晶格预测技术,设计了一些具有优异性能的新型AlGaN半导体结构,并就其性能进行了预测分析。利用第一性原理声子计算方法,系统研究了GaN、AlN...
王如志
关键词:场发射热学性能
文献传递
纳米金字塔形貌Y2O3:Bi3+,Yb3+下转换薄膜及转光性能
在太阳能光伏领域,虽然晶体硅太阳能电池制造成本较高,但因其转换效率较高,原材料来源简单,生产制造技术成熟,目前仍是太阳能电池行业的主力。因此在现有晶体硅太阳电池结构不变的条件下提高其转换效率,是一个很有意义的研究工作。晶...
曲铭浩王如志张影严辉
文献传递
掺杂GaN/AlN超晶格第一性原理计算研究被引量:2
2015年
第一性原理计算方法在解释实验现象和预测新材料结构及其性质上有着重要作用.因此,通过基于密度泛函理论的第一性原理的方法,本文系统地研究了Mg和Si掺杂闪锌矿和纤锌矿两种晶体结构的GaN/AlN超晶格体系中的能量稳定性以及电学性质.结果表明:在势阱层(GaN层)中,掺杂原子在体系中的掺杂形成能不随掺杂位置的变化而发生变化,在势垒层(Al N层)中也是类似的情况,这表明对于掺杂原子来说,替代势垒层(或势阱层)中的任意阳离子都是等同的;然而,相比势阱层和势垒层的掺杂形成能却有很大的不同,并且势阱层的掺杂形成能远低于势垒层的掺杂形成能,即掺杂元素(MgGa,MgAl,SiGa和SiAl)在势阱区域的形成能更低,这表明杂质原子更易掺杂于结构的势阱层中.此外,闪锌矿更低的形成能表明:闪锌矿结构的超晶格体系比纤锌矿结构的超晶格体系更易于实现掺杂;其中,闪锌矿结构中,负的形成能表明:当Mg原子掺入闪锌矿结构的势阱层中会自发引起缺陷.由此,制备以闪锌矿结构超晶格体系为基底的p型半导体超晶格比制备n型半导体超晶格需要的能量更低并且更为容易制备.对于纤锌矿体系来说,制备p型和n型半导体的难易程度基本相同.电子态密度对掺杂体系的稳定性和电学性质进一步分析发现,掺杂均使得体系的带隙减小,掺杂前后仍然为第一类半导体.综上所述,本文内容为当前实验中关于纤锌矿结构难以实现p型掺杂问题提供了一种新的技术思路,即可通过调控相结构实现其p型掺杂.
饶雪王如志曹觉先严辉
关键词:第一性原理电子态密度
不同厚度ZnO缓冲层下Al0.1Ga0.9N纳米薄膜制备及其场发射性能
本文利用脉冲激光沉积,分别制备了一系列不同厚度ZnO缓冲层的AlGaN纳米薄膜,对此薄膜进行场致电子发射测试表明,开启电场随着缓冲层厚度的变化而变化,且ZnO缓冲层厚度为38 nm的AlGaN薄膜开启电场最小,只有27....
沈震宋志伟王如志严辉
关键词:铝镓氮场发射
文献传递
ZnO缓冲层厚度对GaN纳米薄膜的场发射性能影响
为了获取具有质量良好的场发射GaN纳米薄膜,我们利用激光脉冲沉积系统(PLD)在衬底温度为300℃的Si衬底上分别沉积了38nm,50nm,64nm和130nm的ZnO缓冲层,随后在缓冲层之上(衬底温度850℃)生长了厚...
宋志伟沈震王如志严辉
关键词:场发射GANZNO脉冲激光沉积
文献传递
基于晶硅太阳能电池的NaYF4:Yb3+,Ho3+上转换薄膜制备研究
稀土掺杂氟化物由于其较强的上转换发光特性吸引了越来越多的关注,稀土掺杂的氟化物上转换薄膜可克服粉末材料和块体材料的不足,从而大大提高稀土掺杂的氟化物上转换材料的实用性。本文采用脉冲激光沉积的方法制备了稀土离子Yb和Ho共...
盖红王如志严辉
关键词:上转换发光稀土离子脉冲激光沉积
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Y2O3:Bi,Yb减反转光薄膜制备及其光学性能研究
采用脉冲激光沉积(PLD)方法在结合混合酸腐蚀与Ni辅助腐蚀后的Si(100)衬底上成功制备出了Y2O3:Bi,Yb减反转光薄膜。所制备的薄膜在300-1100nm可见光波长范围内的平均反射率普遍低于5%,相较晶体硅表面...
林捷王如志盖红王波严辉
关键词:晶体硅太阳能电池
文献传递
共2页<12>
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