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国家自然科学基金(60223006)

作品数：5 被引量：14H指数：2
相关作者：褚君浩石富文王根水孟祥建孟祥键更多>>
相关机构：中国科学院中国科学院大学华东师范大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金上海市光科技项目国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学
  • 2篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇铁电
  • 3篇铁电薄膜
  • 2篇介电
  • 2篇介电特性
  • 1篇电子散射
  • 1篇钛酸铅
  • 1篇锆钛酸铅
  • 1篇椭偏光谱
  • 1篇锰掺杂
  • 1篇禁带
  • 1篇禁带宽度
  • 1篇晶格
  • 1篇晶格常数
  • 1篇化学溶液沉积...
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射制备
  • 1篇光谱
  • 1篇光学
  • 1篇光学常数
  • 1篇光子

机构

  • 4篇中国科学院
  • 1篇华东师范大学
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 4篇褚君浩
  • 3篇王根水
  • 3篇石富文
  • 2篇孟祥建
  • 1篇马建华
  • 1篇孙璟兰
  • 1篇孙兰
  • 1篇戴宁
  • 1篇林铁
  • 1篇李亚巍
  • 1篇赵强
  • 1篇黄志明
  • 1篇胡志高
  • 1篇孟祥键

传媒

  • 2篇功能材料与器...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇功能材料
  • 1篇Chines...

年份

  • 2篇2005
  • 1篇2004
  • 2篇2003
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
Structural and electrical properties of SrTiO3 thin films as insulator of metal-ferroelectric-insulator-semiconductor （MFIS） structures被引量：1
2005年
马建华孟祥建林铁刘世建张晓东孙璟兰褚君浩
关键词：SRTIO3电子散射
磁控溅射制备不同组分La-Ni-O薄膜的研究被引量：1
2003年
　采用组合靶,利用射频磁控溅射在260℃的(111)Si片上面制备了不同Ni、La含量比的La Ni O薄膜。测试分析结果表明,在La含量较高时,薄膜为无定型结构,并且具有较大的电阻率。当Ni和La含量比>1∶1.44后,薄膜具有(100)择优取向的赝立方钙钛矿结构,同时具有金属导电特性。随着La过量的减少,晶面间距和面电阻都减小的很快,在Ni和La比例达到1∶1时,电阻率达到了最小值6.4Ω·μm,晶面间距也达到最小值0.389nm。随着Ni过量的增加,晶面间距和面电阻又逐步增大。在Ni过量较多时导致了NiO相和LNO(110)取向的出现。在晶面间距相同时,相对于La,Ni含量的过剩对薄膜导电性能具有较大的影响。文中对实验现象从LaNiO3薄膜的导电机理出发给出了比较合理的解释。
赵强褚君浩
关键词：磁控溅射晶格常数
LaNiO_3缓冲层对Pb(Zr,Ti)O_3铁电薄膜的影响被引量：5
2004年
采用化学溶液法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了PbZr0.4Ti0.6O3/LaNiO3(PZT/LNO)多层薄膜。X射线衍射测量表明LNO缓冲层的引入使PZT薄膜(111)择优取向度减小,(100)取向增加。原子力显微镜测量表明引入LNO缓冲层使得PZT薄膜表面更加平整、致密。在LNO缓冲层上制备的PZT薄膜具有优良的铁电特性和介电特性:LNO缓冲层厚度为40nm时,500kV/cm的外加电场下,剩余极化(Pr)为37.6μC/cm2,矫顽电场(EC)为65kV/cm;100kHz时,介电常数达到822,并且发现LNO缓冲层的厚度为40nm,PZT的铁电、介电特性改进最为显著。
王根水石富文孙璟兰孟祥建戴宁褚君浩
关键词：铁电薄膜介电特性LANIO3锆钛酸铅
锰掺杂对PbZr_(0.5)Ti_(0.5)O_3铁电薄膜电学性能的影响被引量：5
2005年
采用Sol-gel方法在生长有LNO3的Si(100)衬底上制备了掺Mn的PbZr0.5Ti0.5O3铁电薄膜(PMZT)。PMZT薄膜具有优良的铁电性。在外加电场下观察到了非对称剩余极化翻转行为。这种剩余极化的翻转不对称随着锰掺杂浓度的增加而变大,从而表明极化过程中产生的内建偏压电场是由Mn的掺杂引起的。当薄膜厚度保持不变时候,PMZT薄膜的剩余极化(Pr)和平均矫顽电场(Ec)随着锰掺杂浓度的增大而减小。在低频下,PMZT薄膜的介电常数随着锰的掺杂浓度的增加而减小。瞬时电流随着时间的呈指数衰减,最后到达饱和的稳态值。样品的漏电流密度随着电压的增加而近似地线性增加,显示出欧姆特性。在相同电压下,漏电流密度随着Mn掺杂浓度的增加而增加。
石富文孟祥键王根水林铁李亚巍马建华孙兰褚君浩
关键词：铁电薄膜介电特性
Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)超薄铁电薄膜的光学性质研究被引量：2
2003年
采用化学溶液沉积法在Pt/Ti/SiO2 /Si衬底上制备了厚度小于 10 0nm的Bi3 .2 5La0 .75Ti3 O12 (BLT)铁电薄膜 ,测量了光子能量为 2～ 4 .5eV的紫外可见椭圆偏振光谱 .根据经典的电介质光学色散关系和五相结构模型 ,拟合获得薄膜在透明区和吸收区的光学常数、表面粗糙度、薄膜与衬底界面层以及BLT薄膜的厚度 .薄膜在透明区的折射率色散关系可以通过单电子Sellmeier模型成功地进行解释 .最后 ,根据Tauc′s法则 ,得到Bi3 .2 5La0 .75Ti3 O12 薄膜的直接禁带宽度为 3.96eV .
胡志高王根水黄志明孟祥建石富文褚君浩
关键词：椭偏光谱光学常数禁带宽度化学溶液沉积法铁电薄膜光子能量
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