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电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金(9140C0301040801)
作品数:
1
被引量:1
H指数:1
相关作者:
侯通贤
林晓玲
姚若河
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相关机构:
工业和信息化部
华南理工大学
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发文基金:
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金
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姚若河
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侯通贤
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华南理工大学...
年份
1篇
2011
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通孔微结构对Cu/低-k应力诱生空洞的影响
被引量:1
2011年
基于Cu的随动强化模型,采用有限元分析方法,对不同Cu/低-k通孔微结构中的应力情景进行模拟分析,探讨了因互连通孔和通孔阻挡层形成工艺的波动性,造成通孔高度、通孔沟槽深度和通孔底部阻挡层厚度的变化,以及这一变化对互连通孔和通孔底部互连应力诱生空洞的影响.结果表明:Cu/低-k互连中的通孔微结构效应,是影响互连应力和形成应力诱生空洞的重要因素.大高宽比的通孔结构更易因通孔高度变化而发生应力诱生空洞;通孔沟槽可以有效提高互连应力迁移的可靠性,但需要控制其深度;通孔底部阻挡层厚度对互连应力诱生空洞性能具有矛盾性,需要折中考虑.
林晓玲
侯通贤
章晓文
姚若河
关键词:
工艺波动
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