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国家重点实验室开放基金(SKL2010-5)

作品数：6 被引量：16H指数：3
相关作者：吕文辉张帅邵乐喜张军刘进更多>>
相关机构：湛江师范学院浙江大学上海大学更多>>
发文基金：国家重点实验室开放基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 3篇纳米
  • 2篇电池
  • 2篇线阵列
  • 2篇纳米线
  • 2篇纳米线阵列
  • 2篇光伏
  • 2篇光伏电池
  • 2篇核壳
  • 2篇场发射
  • 1篇导电
  • 1篇导电聚合物
  • 1篇电化学
  • 1篇电化学池
  • 1篇电聚合
  • 1篇电阻
  • 1篇形貌
  • 1篇形貌控制
  • 1篇性能研究
  • 1篇掩模
  • 1篇碳纳米管

机构

  • 6篇湛江师范学院
  • 4篇浙江大学
  • 1篇湖州师范学院
  • 1篇上海大学

作者

  • 7篇吕文辉
  • 5篇张帅
  • 2篇张军
  • 2篇邵乐喜
  • 1篇杨伟光
  • 1篇黄璐
  • 1篇史伟民
  • 1篇刘进

传媒

  • 1篇光电子．激光
  • 1篇物理学报
  • 1篇液晶与显示
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇半导体光电
  • 1篇上海大学学报...
  • 1篇广东省真空学...

年份

  • 1篇2014
  • 2篇2012
  • 4篇2011
共 6 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
接触电阻对碳纳米管场发射的影响被引量：3
2012年
基于改进的悬浮球模型。计算了碳纳米管和衬底间的接触电阻存在时碳纳米管顶端的局域电场,并结合FowlerNordhenim(F-N)场发射规律研究了接触电阻对碳纳米管场发射的影响.研究表明,接触电阻的存在,在高电场区域接触电阻抑制了碳纳米管的电子场发射,导致在高电场区域出现电流饱和及FN直线偏折现象.其原因可归结为接触电阻使得在碳纳米管顶端的局域电场相对于没有接触电阻时相对地减少.
吕文辉张帅
关键词：碳纳米管场发射接触电阻
无掩模选择性制备硅纳米线阵列及其光致发光被引量：1
2014年
基于金属辅助硅化学刻蚀发展了一种无掩模选择性区域制备硅纳米线阵列的方法,并利用该方法成功制备了图形化的硅纳米线阵列.扫描电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)分析表明,所制备的硅纳米线阵列是高质量的多孔微纳米结构,并利用拉曼光谱仪研究了室温下硅纳米线阵列的光致发光特性.结果表明,硅纳米线阵列可实现有效的光发射,发光波峰为663 nm.该方法工艺简单、有效,可潜在地应用于构筑硅基光电集成器件.
张帅吕文辉史伟民黄璐杨伟光刘进匡华慧明秀春沈心蔚
关键词：光致发光
图形化硅纳米线阵列场发射阴极的制备及其场发射性能被引量：3
2011年
结合光刻工艺和金属援助硅化学刻蚀法成功地制备了图形化的硅纳米线阵列场发射阴极,研究了其场发射性能。扫描电子显微镜照片显示,嵌入在硅衬底的硅纳米线阵列为垂直取向,形成图形化。场发射测试与分析表明,该阴极能够有效实现场电子发射,并且有利于获得图形化、低发散角的电子束。本研究提供了一种在硅基底上简单、有效地选域制备图形化硅纳米线阵列场发射阴极的途径,可潜在用于构筑各种真空微电子器件。
吕文辉张帅
关键词：场发射
金属援助硅化学刻蚀法可控制备硅纳米线阵列被引量：6
2011年
基于金属援助硅化学刻蚀机理,成功地发展了一种形貌可控地制备硅纳米线阵列的有效方法。在该方法中,通过银纳米颗粒催化层的微结构和硅化学刻蚀的时间来调控硅纳米线阵列的形貌。扫描电子显微镜(SEM)形貌表征的实验结果证实:硅纳米线阵列的孔隙率依赖银纳米颗粒催化层的微结构,硅纳米线阵列的高度依赖于硅的刻蚀时间。这种形貌可控地制备单晶硅纳米线阵列的方法简单、有效,可用于构筑硅纳米线光伏电池等各种硅基纳米电子器件。
吕文辉张帅
关键词：形貌控制
硅纳米线阵列光阳极的制备及其光电转换性能研究被引量：2
2011年
结合光刻和金属援助硅化学刻蚀法成功地制备出了用于光伏型光电化学池的图形化硅纳米线阵列光阳极,并表征和研究了其光电转换性能。扫描电子显微镜和漫反射光谱测试表明光阳极表面为多孔状,在300nm-1000nm的光谱范围之内光反射率低于5%。基于该光阳极的光电化学池具有明显的光响应,光电转换效率为0.33%。通过光电转换过程分析,光生载流子在硅纳米线/电解液界面上的复合可能是导致较低光转换效率的主要原因。
吕文辉张帅
关键词：光电转换
硅纳米线阵列光伏电池及其广角光伏转换被引量：1
2012年
采用金属援助刻蚀和溶液填充的方法,构筑了原理型Si/导电聚合物(聚3,4-乙撑二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸盐,PEDOT:PSS)核壳纳米线阵列光伏电池。电池的光伏转换效率不依赖于入射光强,达到了6.8%。改变入射光角度,表征了电池的广角光伏转换性能。入射角在45°范围内的有效光电转换效率相对于正入射的光伏转换效率仅降低12%。实验结果表明,纳米线阵列结构的光伏电池有益于广角太阳能转换。
吕文辉张军邵乐喜
关键词：SI导电聚合物光伏电池
硅基核壳纳米线光伏电池及其光伏过程中的纳米尺寸效应
晶体硅光伏电池的光电转换效率高,实验室效率超过24%[1],占据了整个光伏市场的80%。但是,晶体硅光伏电池成本偏高,阻碍了其广泛应用。硅基核壳纳米线阵列光伏电池原理上可降低硅基光伏电池的材料成本。主要原因体现在两个方面...
吕文辉张军邵乐喜
关键词：纳米线阵列核壳结构
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