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湖北省自然科学基金(2007ABC05)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：莫琦杨辅军张志鹏王浩汪汉斌更多>>
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相关领域：一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电气工程

主题

  • 2篇电学
  • 2篇电学特性
  • 2篇电学性能
  • 2篇脉冲
  • 2篇脉冲激光
  • 2篇脉冲激光沉积
  • 2篇激光
  • 2篇HFO2薄膜

机构

  • 2篇湖北大学

作者

  • 2篇王毅
  • 2篇王浩
  • 1篇朱建华
  • 1篇冯洁
  • 1篇汪汉斌
  • 1篇张志鹏
  • 1篇杨辅军
  • 1篇莫琦

传媒

  • 1篇功能材料

年份

  • 2篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
脉冲激光沉积制备的HfO2薄膜的结构与电学性能
采用脉冲激光沉积(PLD)方法在 Si(100) 基底上制备了有效氧化层厚度为8．6nm,介电常数为 29．3的 HfO薄膜．借助 X 射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、高分辨透射电镜(HRTEM)分析了样品的...
王毅王浩张志鹏莫琦冯洁朱建华杨辅军汪汉斌
关键词：脉冲激光沉积HFO2薄膜电学特性
文献传递
脉冲激光沉积制备的HfO2薄膜的结构与电学性能
2007年
采用脉冲激光沉积（PLD）方法在Si（100）基底上制备了有效氧化层厚度为8．6nm，介电常数为29．3的HfO2薄膜．借助C射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、高分辨透射电镜（HRTEM）分析了样品的微观结构，对电容的C-V与I-V电学特性进行了测试。实验结果表明，该方法制得的HfO2薄膜表面光滑，N2500℃下退火30mm后样品表面粗糙度由0．203nm变为0．498nm，薄膜由非晶转变为简单正交结构，界面层得到有效控制，该栅介质电容具有良好的C-V特性，较低的漏电流密度（4．3×10^-7A/cm^2，@-1V），是SiO2栅介质的理想替代物．
王毅王浩张志鹏莫琦冯洁朱建华杨辅军汪汉斌
关键词：脉冲激光沉积HFO2薄膜电学特性
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