湖北省自然科学基金(2008CDB258)
- 作品数：3 被引量：25H指数：3
- 相关作者：李亚伟金胜利罗明桑绍柏赵雷更多>>
- 相关机构：武汉科技大学更多>>
- 发文基金：湖北省自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术更多>>
- 烧成铝锆碳滑板的水化粉化机理探析被引量：4
- 2009年
- 为探析烧成铝锆碳滑板的水化粉化机理,采用X射线衍射仪分析试样水化前后的物相组成,用傅里叶变换红外光谱仪分析试样水化前后的O-H键强弱变化,用扫描电镜观测滑板水化前的显微结构。结果表明,在埋碳气氛下,烧成铝锆碳滑板中添加的金属铝与保护气氛中的N2、CO、CO2等发生反应,形成容易水化的氮化铝和碳化铝,当保护气氛中的CO2含量和烧成温度过高时,滑板中形成的氮化铝相会更多,从而使得滑板水化的可能性更大。因此,采用金属铝和单质硅作复合添加剂时,应严格控制铝粉的添加量和烧成制度。
- 金胜利颜晓潮李亚伟李远兵赵雷
- 关键词：水化
- 高温下含硅气相介质与多壁碳纳米管的作用机理被引量：9
- 2011年
- 采用单质硅粉、铝粉和二氧化硅微粉(Al+SiO2),以及硅粉和二氧化硅微粉(Si+SiO2)作为3种不同硅源,在埋碳床中于1 000～1 500℃处理多壁碳纳米管(multi-walled carbon nanotubes,MWCNTs),研究了不同含硅气相介质与MWCNTs的作用机理。结果表明:不同温度条件下以Si为硅源时,Si(g)分压最高;Si+SiO2为硅源时SiO(g)分压最高;而以Al+SiO2为硅源时,SiO(g)和Si(g)分压均最低。硅源决定了含硅气相介质与MWCNTs的作用机理:以Si为硅源时,Si(g)在MWCNTs表面反应并沉积,使得MWCNTs在1 400℃处理后表面出现2～4 nm厚的SiC涂层,在1 500℃时,大部分MWCNTs转化为实心SiC纳米线;以Si+SiO2为硅源时,SiO(g)不断沉积,1 300℃处理后MWCNTs表面出现了无定形SiO2涂层,随处理温度升高,涂层厚度增加。在上述沉积过程中,含硅气相介质在MWCNTs顶端催化剂Ni中不断发生溶解反应并形成纳米SiC晶粒。
- 罗明李亚伟桑绍柏金胜利赵雷
- 关键词：多壁碳纳米管硅源涂层碳化硅纳米线
- 碳纳米管增强陶瓷基复合材料的研究与展望被引量：12
- 2010年
- 碳纳米管因独特的结构而具有许多优异的性能,将其加入到陶瓷材料中可以解决陶瓷材料脆性问题,同时能很大地提高陶瓷材料的其它力学和热学性能,在复合材料领域具有广阔的应用前景。但碳纳米管在复合材料的制备和使用过程中会出现分散性、界面性和结构蚀变性等问题。综述了碳纳米管在陶瓷基复合材料中存在的问题及相应的解决方法,并探讨了其在耐火材料中的应用前景。
- 罗明李亚伟金胜利桑绍柏易献勋
- 关键词：碳纳米管陶瓷基复合材料耐火材料
