您的位置: 专家智库 > >

北京市科技计划项目(D0305004040221-2-05)

作品数:2 被引量:60H指数:2
相关作者:李冬梅王志华幸新鹏更多>>
相关机构:清华大学更多>>
发文基金:北京市科技计划项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇带隙基准
  • 1篇带隙基准源
  • 1篇低电源电压
  • 1篇低功耗
  • 1篇电源电压
  • 1篇基准源
  • 1篇功耗
  • 1篇PSRR
  • 1篇CMOS
  • 1篇CMOS带隙
  • 1篇CMOS带隙...
  • 1篇CMOS带隙...
  • 1篇NOVEL

机构

  • 2篇清华大学

作者

  • 2篇幸新鹏
  • 2篇王志华
  • 2篇李冬梅

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇微电子学

年份

  • 2篇2008
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
A Novel CMOS Current Mode Bandgap Reference被引量:8
2008年
A novel CMOS bandgap reference is presented. The output reference of this new current mode structure can be set to an arbitrary value above the bandgap voltage of silicon,avoiding offset in application. It also overcomes the systematic mismatch of conventional current mode bandgap references. The proposed bandgap reference has been implemented in UMC 0.18μm mixed mode technology. Under the supply voltage of 1.6V, the proposed bandgap reference provides an output reference of 1.45V and consumes 27μA of supply current. Using no curvature compensation,it can reach a temperature coefficient of 23ppm/℃ from 30 to 150℃ with a line regulation of 2. 1mV/V from 1.6 to 3V and a PSRR of 40dB at DC frequency. The chip area of the bandgap reference (without pad) is 0. 088mm^2.
幸新鹏李冬梅王志华
关键词:CMOS
CMOS带隙基准源研究现状被引量:53
2008年
带隙基准源是集成电路中的重要单元,输出不随温度、电源电压变化的基准电压或电流。简单介绍了CMOS带隙基准源的基本工作原理;指出了限制其性能的主要因素;分析了低电源电压、低功耗、高精度和高PSRR四种类型的CMOS带隙基准源。
幸新鹏李冬梅王志华
关键词:带隙基准源低电源电压低功耗
共1页<1>
聚类工具0