广西壮族自治区自然科学基金(2010GXNSFD013036)
- 作品数：12 被引量：12H指数：2
- 相关作者：邓文黄宇阳陈真英徐守磊黄文华更多>>
- 相关机构：广西大学广西科技大学更多>>
- 发文基金：广西壮族自治区自然科学基金国家自然科学基金广西大学行健文理学院科研基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>
- 光干涉法测量Fe-Ni因瓦合金热膨胀系数被引量：1
- 2014年
- 将迈克耳孙干涉仪改装成可准确并快速地测量固体长度微小变化量的仪器,并用该装置测量了不同化学成分的Fe-Ni合金在25~65℃的温度范围内的热膨胀系数。实验发现,化学成分对Fe-Ni合金的热膨胀系数有很大的影响,Fe65Ni35合金的热膨胀系数最小,偏离该成分的合金的热膨胀系数升高。
- 邓文徐守磊王昊朱彦彦张文春黄宇阳
- 关键词：热膨胀系数迈克耳孙干涉仪化学成分
- MnO_2掺杂钛酸钡基PTC陶瓷的电子结构及其电性能研究被引量：2
- 2015年
- 为提高钛酸钡基PTC陶瓷的升阻比(ρmax/ρmin),采用固相反应法制备了以Y2O3为施主杂质,不同含量的Mn O2作为受主杂质的钛酸钡基PTC陶瓷样品;应用第一性原理方法计算了样品的能带结构、电子结构和Mn掺杂的形成能;测量了样品的正电子湮没寿命谱和电性能。计算结果表明:钛酸钡材料的价带顶和导带底分别位于特殊K点中X(0,0.5,0)点和Γ(0,0,0)点,属间接带隙,禁带宽度为1.59 e V;从形成能结果来看,Mn进入钛酸钡基陶瓷结构后会取代Ti位置。实验结果显示,随着Mn O2掺杂量的增加,样品晶粒内部的自由电子密度增大,陶瓷的晶界缺陷浓度增加,室温电阻率增大。Mn O2含量为0.03%mol的样品的升阻比最大,达到1.1×105,即掺入少量的Mn O2可明显改善钛酸钡基PTC陶瓷的升阻比。
- 周江方志杰邓文
- 关键词：第一性原理电子结构电性能
- 金属氧化物掺杂对ZnO-TiO_2-Bi_2O_3-CuO基压敏陶瓷电子密度和电性能的影响
- 2013年
- 测量了ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Cr2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2和ZnOTiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷的正电子寿命谱及其电性能参数。研究了MnO2、Co2O3和Cr2O3掺杂对ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO压敏陶瓷电子密度和电性能的影响。实验发现:ZnO-TiO2-Bi2O3-CuOCr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均最高,其压敏电压最低;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2压敏陶瓷晶界缺陷态的电子密度最低,其压敏电压比前者高;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3压敏陶瓷基体(晶粒内)的电子密度最低,其压敏电压较高;而ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均较低,其压敏电压VT和非线性系数ɑ最高,漏电流IL最小。
- 徐守磊王昊韩丽芳陈玉辉黄宇阳邓文
- 关键词：电子密度电性能
- 溶胶-凝胶法制备Si基ZnO薄膜的光伏特性
- 2012年
- 用溶胶-凝胶法在P型半导体Si(100)基片上生长了具有六角晶形的ZnO薄膜。SEM和XRD显示,C轴择优取向性明显,薄膜生长质量较好。ZnO薄膜的光致发光谱不仅有384.2nm的紫外波峰(FWHM=20.3nm),而且还有649.2nm的红光波峰(FWHM=214nm),两峰相对高度比为0.934。用波长为632.8nm的氦氖激光照射ZnO薄膜的表面,产生了明显的光伏效应。
- 郭晓雷赵娇玲田秦冠熊定康黄宇阳邓文
- 关键词：ZNO薄膜溶胶-凝胶法光伏特性
- CuO掺杂对ZnO-Bi_2O_3-Sb_2O_3-Co_2O_3-MnO_2-Cr_2O_3压敏陶瓷电子密度及电性能的影响被引量：1
- 2014年
- 为研究CuO掺杂对ZnO基压敏陶瓷中的电子密度和电性能的影响,以固相反应法制备了CuO掺杂的ZnO-Bi2O3-Sb2O3-Co2O3-MnO2-Cr2O3基压敏陶瓷,测量了其正电子湮没寿命谱及电性能,结果表明,随着CuO含量的增加,ZnO基压敏陶瓷基体(晶粒内部)和晶界缺陷态的自由电子密度降低,导致其压敏电压V1mA和漏电流IL升高,非线性系数)减小。CuO含量为1.0%的ZnO基压敏电阻可用于220 V交流电路的过压保护。
- 陈真英聂鹏莫玉学孙小香熊超黄宇阳邓文
- 关键词：电子密度
- 掺钛氧化锌纳米薄膜微结构及其光电性能研究被引量：1
- 2016年
- 采用射频磁控溅射法,以不同保温时间的掺钛氧化锌为靶材在普通玻璃衬底上制备了TZO（掺钛氧化锌）薄膜样品,测试其微结构和光电性能,从而获得制备性能优越的TZO 薄膜所需靶材的最佳条件.测试结果表明,所有样品均为具有c 轴择优取向的六角铅锌矿多晶纳米薄膜;靶材烧结温度和保温时间对薄膜微结构和光电性能有较大影响;以经1500 ℃烧结并保温6h的靶材所制备的薄膜光电性能较好,具有较大晶粒尺寸,在可见光区（400-760nm）有较高的平均透过率91.16%,较低电阻率1.07×10^-4 Ω·cm,较高的载流子浓度和较大迁移率.
- 陈真英聂鹏廖庆佳黄文华孟炎熊定康邓文
- 关键词：磁控溅射保温时间微结构光电性能
- CaCO_3对ZnO基压敏陶瓷的微观缺陷及电性能的影响被引量：1
- 2013年
- 测量了不同CaCO3含量的ZnO-Bi2O3-Sb2O3-Co2O3-MnO2-Cr2O3-CaCO3压敏陶瓷的正电子寿命谱及其I-V特性,研究了CaCO3对ZnO基压敏陶瓷的微观缺陷和电性能的影响。实验发现,含0.25%(摩尔分数)的CaCO3的ZnO基压敏陶瓷的缺陷浓度、基体和晶界缺陷的电子密度以及压敏电压比不含CaCO3的ZnO基压敏陶瓷的低。当CaCO3含量高于摩尔分数0.25%时,随着CaCO3含量的增加,ZnO基压敏陶瓷缺陷浓度、基体和晶界缺陷态的电子密度升高,从而导致其压敏电压和非线性系数增加,漏电流减小。
- 陈真英熊超莫玉学黄宇阳邓文
- 关键词：电子密度正电子寿命
- 掺钛氧化锌纳米薄膜的研究进展
- 2015年
- 在论述磁控溅射制备的掺钛氧化锌薄膜研究意义的基础上,介绍了目前国内外有关采用磁控溅射制备的掺钛氧化锌薄膜的研究现状,并展望了掺钛氧化锌薄膜的未来研究方向。
- 陈真英廖庆佳黄文华刘武涛熊定康徐守磊邓文
- 关键词：透明导电磁控溅射
- Ce:YAG荧光晶体的制备及其光学性能研究
- 2016年
- 以固相反应法制备了致密的不同Ce含量的Ce:YAG陶瓷料棒,再用光学浮区法将这些Ce:YAG陶瓷料棒生长成Ce:YAG晶体。XRD结果表明,Ce:YAG陶瓷料棒主相为YAG相,同时存在部分YAP相;而光学浮区法生长的Ce:YAG晶体完全形成了YAG相,没有其他杂峰的出现,衍射峰尖锐,半峰宽窄,即光学浮区法生长的YAG晶体质量较高。Ce:YAG晶体的光学均匀性较好,在500-800nm区间,其平均透过率为90%-93%。Ce:YAG晶体的吸收光谱中心波长在456 nm具有较大的吸收系数。以波长为460 nm的单色光为光源激发Ce:YAG晶体测得其荧光光谱,其中,含1 at.%Ce的Ce:YAG晶体在黄绿光区域有较强的发光强度。
- 孟炎魏厚前曹秀清黄文华邓文
- 关键词：透过率吸收光谱荧光光谱
- 溅射压强对掺钛氧化锌纳米薄膜微结构和光电性能的影响被引量：4
- 2015年
- 采用射频磁控溅射法,采用不同的溅射压强将同一掺钛氧化锌靶材在普通玻璃衬底上溅射出八个TZO(掺钛氧化锌)薄膜样品,测试其微结构和光电性能,分析其薄膜性能与溅射压强之间的微观机理,从而获得制备性能优越的TZO薄膜所需的最佳溅射压强。结果表明:所有样品均为具有c轴择优取向的六角铅锌矿多晶纳米薄膜;溅射压强对薄膜微结构和光电性能有显著的影响;溅射功率为150 W,氩气流量为25 sccm,衬底温度为150℃,压强为0.5 Pa时制备的薄膜光电性能较好,具有较大晶粒尺寸,在可见光区(400~760 nm)有较高的平均透过率达91.48%,较低电阻率4.13×10^(-4)Ω·cm,较高的载流子浓度和较大迁移率。
- 陈真英黄文华李丽夏黄宇阳邓文
- 关键词：磁控溅射溅射压强光电性能
