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国家自然科学基金(50711130241)

作品数:2 被引量:4H指数:1
相关作者:祁玉发陈建国石贵阳程晋荣俞圣雯更多>>
相关机构:上海大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金上海市科委纳米专项基金更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 1篇导电
  • 1篇导电机制
  • 1篇等效
  • 1篇等效电路
  • 1篇压电
  • 1篇压电陶瓷
  • 1篇陶瓷
  • 1篇阻抗谱
  • 1篇高温
  • 1篇高温压电陶瓷
  • 1篇PULSED...
  • 1篇THIN_F...
  • 1篇BIFEO
  • 1篇BST
  • 1篇BUFFER...
  • 1篇HFO
  • 1篇BA

机构

  • 1篇上海大学

作者

  • 1篇俞圣雯
  • 1篇程晋荣
  • 1篇石贵阳
  • 1篇陈建国
  • 1篇祁玉发

传媒

  • 1篇上海大学学报...
  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
Effects of HfO_2 buffer layers on the dielectric property and leakage current of Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3 thin films by pulsed laser deposition
2010年
Ba0.6Sr0.4TiO3 (BST) thin films with and without HfO 2 buffer layer were fabricated on Pt/Ti/SiO2/Si substrates by pulsed laser deposition. Dependences of HfO 2 thickness on the dielectric property and leakage current of BST thin films were focused. The dielectric constant of BST thin films increased and then decreased with the increase of HfO 2 thickness, while the dielectric relaxation was gradually improved. The loss tangent and leakage current under positive bias decreased with the HfO 2 thickness increasing. The leakage current analysis based on the Schottky emission indicated an improvement of the BST/Pt interface with HfO 2 buffer layer. The loss tangent, tunability and figure of merit of optimized HfO 2 buffered BST thin film achieved 0.009 8, 21.91% (E max = 200 kV/cm), 22.40 at 10 6 Hz, respectively.
耿彦程晋荣俞圣雯吴文彪
BiFeO_3-PbTiO_3系高温压电陶瓷的阻抗谱分析被引量:4
2011年
采用交流阻抗谱分析0.63(Bi_(0.94)La_(0.06))(Ca_(0.05)Fe_(0.95))O_3-0.37PbTiO_3(BLGF-PT)高温压电陶瓷的导电机制.阻抗谱和模谱分析表明,BLGF-PT的绝缘性能主要由晶粒贡献,BLGF-PT陶瓷的电学等效电路可以用一个电阻和一个通用电容器并联构成.由阻抗谱计算得出的晶粒电阻率随温度的升高而下降,载流子的激活能为0.88 eV.
程晋荣石贵阳祁玉发陈建国俞圣雯
关键词:阻抗谱高温压电陶瓷等效电路导电机制
共1页<1>
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