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天津市自然科学基金(013801511)

作品数：1 被引量：0H指数：0
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相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇中子辐照
  • 2篇快中子辐照
  • 2篇辐照缺陷
  • 2篇VO
  • 2篇CZ-SI
  • 2篇FTIR

机构

  • 2篇河北工业大学
  • 1篇天津工业大学
  • 1篇中国原子能科...

作者

  • 2篇杨帅
  • 1篇李养贤
  • 1篇李洪涛
  • 1篇马巧云
  • 1篇李永章
  • 1篇牛萍娟
  • 1篇牛胜利
  • 1篇刘铁驹

传媒

  • 1篇功能材料
  • 1篇第五届中国功...

年份

  • 2篇2004
共 1 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
快中子辐照CZ-Si的FTIR分析
应用FTIR技术研究了不同剂量(1×1017-1.17 ×1019n/cm2)快中子辐照直拉硅(CZ-Si)的辐照缺陷和间隙氧在不同温度热处理时的行为。发现随辐照剂量的增加未退火的样品的间隙氧含量迅速下降,并且间隙氧的下...
杨帅马巧云刘铁驹李养贤李永章牛胜利李洪涛牛萍娟
关键词：快中子辐照辐照缺陷VOFTIR
文献传递
快中子辐照CZ-Si的FTIR分析
2004年
应用FTIR技术研究了不同剂量(1×1017～1.17×1019n/cm2)快中子辐照直拉硅(CZ-Si)的辐照缺陷和间隙氧在不同温度热处理时的行为.发现随辐照剂量的增加未退火的样品的间隙氧含量迅速下降,并且间隙氧的下降明显分为3个阶段.FTIR谱表明快中子辐照后主要的辐照缺陷为VO(829 cm-1)复合体.在低温条件下热处理300℃829cm-1(VO)开始消失并出现了825 cm-1(V2O2)、833cm-1(V3O2)、和840cm-1(V2O)和919cm-1(I2O2)四个红外吸收峰,退火温度升高到500℃后只剩下了825cm-1和919cm-1两个缺陷-杂质复合体的红外吸收峰.高温1100℃0.5h辐照引入的缺陷-杂质复合体很快的被消除.延长退火时间辐照样品和未辐照样品的间隙氧沉淀速度有很大的不同.
杨帅马巧云刘铁驹李养贤李永章牛胜利李洪涛牛萍娟
关键词：快中子辐照辐照缺陷VOFTIR
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