深圳市科技计划项目(200729)
- 作品数：3 被引量：22H指数：2
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- 相关领域：一般工业技术电子电信化学工程动力工程及工程热物理更多>>
- 基底温度对离子束溅射法制备AZO透明导电薄膜的影响
- 以ZnO(掺杂2%AlO)陶瓷靶作为靶材,采用离子束溅射技术在玻璃基底上成功制备了AZO薄膜透明导电薄膜。研究不同基底温度对AZO薄膜结构与光电性能的影响。结果表明,沉积过程中基底温度对AZO薄膜的结构和光电性能有显著影...
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- 文献传递
- 工艺参数对离子束溅射ZnO∶Al薄膜结构与性能的影响被引量：10
- 2010年
- 以ZnO(掺杂2%Al2O3)陶瓷靶作为靶材,采用离子束溅射技术在BK7玻璃基底上制备AZO透明导电薄膜。研究不同工艺参数对ZnO∶Al(AZO)薄膜结构与光电性能的影响。结果表明,不同等离子体能量下制备的AZO薄膜均出现ZnO(002)特征衍射峰,具有纤锌矿结构且c轴择优取向;AZO薄膜的结晶质量和性能对基底温度有较强的依赖性,只有在适当的基底温度下,可改善结晶程度且利于颗粒的生长,呈现较低的电阻率;不同厚度的AZO薄膜均出现较强的ZnO(002)特征衍射峰且随着厚度的增加,ZnO(110)峰强度不断加强,相应晶粒尺寸变大,但缺陷也随之增多;同时得出利用离子束溅射方法制备AZO薄膜的最佳工艺为:等离子体能量为1.3 keV、基底温度200℃和沉积厚度为420 nm,该参数下制备的薄膜结晶程度较高、生长的颗粒较大,相应薄膜的电阻率较低且薄膜透射率在可见光区均达到80%以上。
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- 关键词：AZO薄膜离子束溅射光电性能
- 离子束溅射制备CuInSe_2薄膜的研究被引量：10
- 2009年
- 利用离子束溅射沉积技术,设计三元复合靶,直接制备CuInSe2(CIS)薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和分光光度计检测在不同衬底温度和退火温度条件下制备的CIS薄膜的微结构、表面形貌和光学性能。实验结果表明:使用离子束溅射沉积技术制备的CIS薄膜具有黄铜矿结构,在一定的条件下,适当温度的热处理可以制备结构紧密、颗粒均匀、致密性和结晶性良好的CIS薄膜,具有强烈的单一晶向生长现象。
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- 关键词：离子束溅射CIS薄膜衬底温度退火温度
- 离子束溅射制备CdS多晶薄膜及性能研究被引量：2
- 2010年
- 采用离子束溅射的方法在玻璃衬底上制备CdS多晶薄膜,研究了沉积过程中基底温度(100～400℃)与薄膜厚度(35～200nm)对其微结构与光电性能的影响。结果表明,不同基底温度下制备的CdS薄膜均属于六方相多晶结构且具有(002)择优取向生长特征;随着基底温度的升高,(002)特征衍射峰强度增加,半高宽变小相应薄膜结晶度增大,有利于颗粒的生长;分析CdS薄膜的光谱图线可知,薄膜在可见光区平均透射率高于75%,光学带隙值随着基底温度升高而增大(2.33～2.42eV)且薄膜电阻高达109Ω;在基底温度为400℃条件下制备不同厚度的CdS薄膜,发现(50～100nm)较薄的CdS薄膜具有较为明显的六方相CdS多晶薄膜结构、较优光学性能和高电阻值,满足CIS基太阳电池中缓冲层材料的基本要求。
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- 关键词：CDS薄膜离子束溅射微结构光电性能
