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单空位缺陷对石墨纳米带电子结构和输运性质的影响被引量：13: 2008年; 基于第一性原理电子结构和输运性质计算,研究了单空位缺陷对单层石墨纳米带(包括zigzag型和armchair型带)电子性质的影响.研究发现,单空位缺陷使石墨纳米带在费米面上出现一平直的缺陷态能带;单空位缺陷的引入使zigzag型半导体性的石墨纳米带变为金属性,这在能带工程中有重要的应用价值;奇数宽度的armchair型石墨纳米带表现出金属特性,有着很好的导电性能,同时,偶数宽度的armchair型石墨带虽有金属性的能带结构,但却有类似半导体的伏安特性;单空位缺陷使得奇数宽度的armchair石墨纳米带导电性能减弱,使得偶数宽度的armchair石墨纳米带导电性能明显增强.; 欧阳方平王焕友李明君肖金徐慧; 关键词：石墨纳米带电子结构输运性质

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湖南省自然科学基金(07113102)