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中国科学院重点实验室基金(KGCX2-SW-107)

作品数：18 被引量：24H指数：3
相关作者：刘新宇和致经魏珂刘果果李诚瞻更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所中国科学院四川龙瑞微电子有限公司更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划中国科学院重点实验室基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 18篇中文期刊文章

领域

  • 17篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 12篇ALGAN/...
  • 9篇ALGAN/...
  • 8篇HEMT
  • 5篇电路
  • 4篇集成电路
  • 4篇ALGAN/...
  • 4篇HEMTS
  • 3篇电子迁移率
  • 3篇迁移率
  • 3篇微波功率
  • 3篇晶体管
  • 3篇刻蚀
  • 3篇混合集成电路
  • 3篇功率放大
  • 3篇功率放大器
  • 3篇放大器
  • 3篇高电子迁移率
  • 3篇高电子迁移率...
  • 2篇氮化镓
  • 2篇电流崩塌

机构

  • 18篇中国科学院微...
  • 5篇中国科学院
  • 2篇四川龙瑞微电...

作者

  • 18篇刘新宇
  • 12篇和致经
  • 10篇魏珂
  • 7篇刘果果
  • 7篇李诚瞻
  • 6篇刘键
  • 5篇陈晓娟
  • 5篇郑英奎
  • 4篇刘丹
  • 4篇姚小江
  • 4篇黄俊
  • 4篇王晓亮
  • 4篇罗卫军
  • 3篇邵刚
  • 3篇吴德馨
  • 3篇庞磊
  • 2篇陈小娟
  • 2篇曾轩
  • 2篇梁晓新
  • 2篇陈延湖

传媒

  • 11篇Journa...
  • 6篇电子器件
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 2篇2009
  • 7篇2008
  • 4篇2007
  • 2篇2006
  • 3篇2004
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于AlGaN/GaN HEMT的C波段功率放大器混合集成电路的设计被引量：2
2007年
我们设计研制了一个基于Al GaN/GaN HEMT大功率放大器的混合集成电路.这个电路包含了1个10×120μm的HEMT晶体管,以及输入和输出匹配电路.在偏置条件为Vds=40 V,Ids=0.26 A时,输出连续波饱和功率在5.4 GHz达到37 dBm(5 W),最大的PAE为35.6%.在偏置条件为Vds=30 V,Ids=0.22 A时输出连续波饱和功率在5.4 GHz达到36.4dBm(4.4 W),最大的PAE为42.7%.
姚小江李宾陈延湖陈小娟魏珂李诚瞻刘丹刘果果刘新宇王晓亮罗卫军
关键词：微波功率放大器ALGAN/GANHEMT
AlGaN/GaN HEMTs器件布局对器件性能影响分析被引量：3
2008年
比较了空气桥跨细栅和空气桥跨栅总线两种源连接结构的1 mm AlGaN/GaN HEMTs器件的特性,对两种结构的管芯进行了等效电路参数提取。测试了两种布局方式下的不同源场板结构器件的射频以及功率性能,比较分析表明,空气桥跨细栅的源连接方式由于有效地降低了栅漏电容以及栅源电容,比空气桥跨栅总线源连接的器件能取得更好的频率特性以及功率特性。
刘果果魏珂郑英奎刘新宇和致经
关键词：ALGAN/GANHEMT寄生参数空气桥
蓝宝石衬底AlGaN/GaN功率HEMTs研制被引量：4
2004年
基于蓝宝石衬底的高微波特性 Al Ga N/Ga N HEMTs功率器件 ,器件采用了新的欧姆接触和新型空气桥方案。测试表明 ,器件电流密度 0 .784A/mm,跨导 1 97m S/mm,关态击穿电压 >80 V,截止态漏电很小 ,栅宽 1 mm的器件的单位截止频率 ( f T)达到 2 0 GHz,最大振荡频率 ( fmax) 2 8GHz,2 GHz脉冲测试下 ,栅宽 0 .75 mm器件 ,功率增益1 1 .8d B,输出功率 3 1 .2 d Bm,功率密度 1 .75 W/mm。
邵刚刘新宇和致经刘键魏珂陈晓娟吴德馨
关键词：ALGAN/GANHEMT微波功率
AlGaN/GaN共栅共源HEMTs器件被引量：1
2004年
研究了蓝宝石衬底 Al Ga N/Ga N共栅共源器件的特性。该器件包括栅长 0 .8μm共源器件与栅长 1 μm的共栅器件。研究表明 ,共栅共源器件的第二栅压对的器件饱和电流与跨导有明显的调制作用 ,容易实现功率增益控制。与共源器件相比 ,共栅共源器件在微波特性上 f T 大约 9GHz,比共源器件稍小 ,但是具有较低的反馈 ,显著增加的功率资用增益及较高的端口阻抗 ,与共源器件相比 ,稳定性更好 ,可以避免振荡的产生 ,结合 Ga N的高功率特性 Ga
邵刚刘新宇刘键和致经
关键词：HEMTS微波功率增益
一个8GHz基于AlGaN/GaN HEMT的内匹配电路被引量：1
2009年
论述了一个在8 GHz下基于AlGaN/GaN HEMT功率放大器HMIC的设计、制备与测试。该电路包含了1个10×100μm的AlGaN/GaN HEMT和输入输出匹配电路。在偏置条件为VDS=40 V、IDS=0.16 A时输出连续波饱和功率在8GHz达到36.5 dBm(4.5 W),PAE为60%,线性增益10 dB;在偏置条件为VDS=30 V、IDS=0.19 A时输出连续波饱和功率在8 GHz达到35.6 dBm(3.6 W),PAE为47%,线性增益9 dB。
张辉陈晓娟刘果果曾轩袁婷婷陈中子王亮刘新宇
关键词：ALGAN/GANHEMT内匹配混合集成电路功率放大器
凹栅槽AlGaN/GaN HEMTs器件退火处理效应(英文)被引量：1
2008年
研究了如何减小等离子体干法刻蚀导致的大肖特基漏电.用X射线光电能谱(XPS)分析刻蚀前后的AlGaN表面,发现刻蚀后AlGaN表面出现了N空位,导致肖特基栅电流偏离热电子散射模型,N空位做为一种缺陷使得肖特基结的隧穿几率增大,反向漏电增大,肖特基势垒降低.介绍了一种AlGaN/GaNHEMTs器件退火处理方法,优化退火条件为400℃,N2氛围退火10min.退火后,栅金属中的Ni与Ga原子反应从而减少N空穴造成的缺陷,器件肖特基反向漏电减小三个量级,正向开启电压升高,理想因子从3.07降低到了2.08.
刘果果黄俊魏珂刘新宇和致经
关键词：GAN干法刻蚀退火
应用于AlGaN/GaN HEMTs MMIC薄膜电阻的特性与可靠性(英文)
2008年
TaN和NiCr是Al GaN/GaN HEMTs微波集成电路中薄膜电阻最为常用的两种材料.文中对比了在SiC衬底上生长的这两种材料的薄膜电阻的可靠性.通过TaN和NiCr薄膜电阻的对比,发现TaN薄膜电阻的方块电阻(Rs)随着退火温度的上升而增大,然而NiCr薄膜电阻的Rs却出现相反的趋势.同时发现随着退火温度的上升TaN薄膜电阻的Rs和接触电阻(RC)的变化远远小于NiCr薄膜电阻的变化.在400℃退火及等离子刻蚀机的氧等离子暴露后,TaN薄膜电阻的Rs只下降了0.7Ω,大概2.56% ,并且RC上升了0.1Ω,大概6.6%.但是NiCr薄膜电阻的Rs和RC在不同的退火条件下经过氧等离子暴露后发生了很大的变化.因此,TaN薄膜电阻在氮气保护下经过400℃退火后在氧等离子暴露下更为稳定.
姚小江蒲颜刘新宇吴伟超
关键词：NICR薄膜电阻可靠性微波集成电路
AlGaN/GaN HEMT栅槽低损伤刻蚀技术被引量：1
2009年
对AlGaN/GaNHEMT栅槽低损伤刻蚀技术进行研究,通过加入小流量的具有钝化缓冲作用的C2H4,对Cl2/Ar/C2H4的工艺条件进行了优化,有效地降低了栅槽刻蚀造成的AlGaN表面损伤和器件退化,同时防止反应生成物淀积在栅槽表面,改善了肖特基结特性,提高了栅极调控能力,实现凹栅槽的低损伤刻蚀。
黄俊魏珂刘新宇
关键词：ALGAN/GANHEMTC2H4
等离子体刻蚀凹栅槽影响AlGaN/GaN HEMT栅电流的机理被引量：2
2007年
对等离子体干法刻蚀形成的凹栅槽结构Al GaN/GaN HEMTs肖特基电流增加的机理进行了研究.实验表明,凹栅槽结构Al GaN/GaN HEMTs肖特基栅电流增加一个数量级以上,击穿电压有一定程度的下降.利用AFM和XPS的方法分析Al GaN表面,等离子体干法刻蚀增加了Al GaN表面粗糙度,甚至出现部分尖峰状突起,增大了栅金属与Al GaN的接触面积;另一方面,等离子体轰击使Al GaN表面出现一定量的N空位,相当于栅金属与Al-GaN接触界面处出现n型掺杂层,使肖特基结的隧道效应加强,降低了肖特基势垒.由此表明,Al GaN表面粗糙度的增加以及一定量的N空位出现是引起栅电流急剧增大的根本原因.
李诚瞻庞磊刘新宇黄俊刘键郑英奎和致经
关键词：等离子体刻蚀栅电流
钝化前表面预处理对AlGaN/GaN HEMTs性能的影响被引量：1
2008年
提出一种新的钝化技术——采用盐酸和氢氟酸混合预处理溶液(HF:HCl:H2O=1:4:20)对AlGaN/GaNHEMTs进行表面预处理后再淀积Si3N4钝化,研究了新型钝化技术对AlGaN/GaNHEMTs性能的影响并分析其机理.与用常规方法钝化的器件相比,经过表面预处理再钝化,成功地抑制了AlGaN/GaNHEMTs肖特基特性的恶化,有效地增强抑制电流崩塌效应的能力,将GaN基HEMTs的输出功率密度提高到5.2W/mm,并展现良好的电学可靠性.通过X射线光电子谱(XPS)检测预处理前后的AlGaN表面,观察到经过预处理后的AlGaN表面氧元素的含量大幅度下降.表面氧元素的含量下降,能有效地降低表面态密度和表面电荷陷阱密度,被认为是提高AlGaN/GaNHEMTs性能的主要原因.
李诚瞻刘丹郑英奎刘新宇刘键魏珂和致经
关键词：ALGAN/GANHEMTS钝化
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