国家教育部博士点基金(20020284023)
- 作品数：5 被引量：2H指数：1
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- Al组分对Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中二维电子气输运性质的影响(英文)
- 2006年
- 在低温和强磁场下,通过磁输运测量研究了不同Al组分调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象.观察到低Al组分异质结中的2DEG有较低的浓度和较高的迁移率.
- 唐宁沈波王茂俊杨志坚徐科张国义桂永胜朱博郭少令褚君浩
- 关键词：二维电子气输运性质
- Transport properties of the two-dimensional electron gas in Al-xGa1xN/GaN heterostructures
- Classical transport and the magneto-transport of the two-dimensional electron gas（2DEG）in modulation-doped Alx...
- Bo Shen~* Jiangsu Provincial Key Laboratory of Photonic and Electronic Materials Science and Technology
- Al_(0.22)Ga_(0.78)N/GaN二维电子气中的弱局域和反弱局域效应被引量：1
- 2006年
- 通过磁输运测量研究了Al0·22Ga0·78N/GaN二维电子气的电子相干散射中的弱局域和反弱局域化现象.在外加弱磁场的情况下,该系统表现出正-负磁阻的变化,说明在Al0·22Ga0·78N/GaN异质结中存在晶体场引起的电子自旋-轨道散射.同时讨论了二维电子气中不同的散射时间对温度的依赖关系,实验得到的非弹性散射时间与温度成反比,表明非弹性散射机理主要来源于小能量转移的电子-电子散射.
- 朱博桂永胜周文政商丽燕郭少令褚君浩吕捷唐宁沈波张福甲
- 关键词：二维电子气磁阻
- 极化电场对Al_xGa_(1-x)N/GaN双量子阱中子带间跃迁的光学性质的影响(英文)被引量：1
- 2006年
- 用自洽计算的方法研究了极化电场对Al_xGa_(1-x)N/GaN双量子阱中子带间跃迁的光学性质和电子分布的影响.发现极化场会导致电压降的出现,从而使得结构对称的Al_xGa_(1-x)N/GaN双量子阱具有不对称的导带和价带.极化效应还会使奇数序和偶数序的子带之间发生很大的Stark平移,从而使第一奇数序和第二偶数序子带之间的跃迁波长变短,这将有利于实现工作在通信窗口的光电子器件.同时,由于导带分布的不对称性,电子分布也不对称,从而会影响吸收系数.
- 雷双英沈波许福军杨志坚徐柯张国义
- Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中二维电子气的磁致子带间散射效应
- 2004年
- 通过在低温和强磁场下的磁输运测量研究了非故意掺杂Al0 .2 2 Ga0 .78N/GaN异质结二维电子气 ( 2DEG)的磁电阻振荡现象。观察到了磁致子带间散射 (MIS)效应。在极低温下观察到了表征两个子带被 2DEG占据的双周期舒勃尼科夫 德哈斯 (SdH)振荡。实验观察到MIS效应引起的磁电阻振荡的幅度随温度上升略有减小 ,振荡的频率为两个子带SdH振荡频率之差。随着温度的升高 ,MIS振荡成为主要的振荡。由于SdH振荡和MIS振荡对温度的依赖关系不同 ,实验观察到SdH和MIS振荡之间的调制在温度 10和 17K之间最为强烈 ,其它温度下的调制很弱。
- 唐宁沈波陈敦军桂永胜仇志军郑有炓
- 关键词：二维电子气
- Al_xGa_(1-x)N/GaN调制掺杂异质结能带分裂特性
- 2004年
- 通过低温强磁场下的磁输运实验 ,研究了AlxGa1 -xN/GaN调制掺杂异质结构二维电子气 ( 2DEG)的能带分裂性质。1.4K温度下测量的磁阻曲线当磁场强度大于 5 .4T时观察到的明显对应于第一子带的自旋分裂现象。用Dingle作图法得到本样品τq 的大小为 0 17ps。结果表明 ,本实验所用的调制掺杂Al0 .2 2 Ga0 .78N/GaN异质结构具有较大的有效g因子g 。用高 2DEG浓度导致的交换相互作用加强解释了g 增强效应。在磁阻测量中改变磁场方向 ,自旋分裂现象表现出各向异性。用异质结构界面处强的极化电场解释了自旋分裂的各向异性。
- 郑泽伟沈波陈敦军郑有炓郭少令褚君浩
- 关键词：调制掺杂二维电子气迁移率
