国家自然科学基金(61040060)
- 作品数:3 被引量:7H指数:2
- 相关作者:刘军林江风益王光绪熊传兵邱虹更多>>
- 相关机构:南昌大学晶能光电(江西)有限公司闽南师范大学更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金长江学者和创新团队发展计划国家科技支撑计划更多>>
- 相关领域:电子电信理学更多>>
- 牺牲Ni退火对硅衬底GaN基发光二极管p型接触影响的研究被引量:3
- 2011年
- 本文通过在硅衬底发光二极管(LED)薄膜p-GaN表面蒸发不同厚度的Ni覆盖层,将其在N2:O2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面Ni覆盖层之后制备Pt/p-GaN欧姆接触层.实验结果表明:退火温度和Ni覆盖层厚度均对硅衬底GaN基LED薄膜p型欧姆接触有重要影响,Ni覆盖退火能够显著降低p型层中Mg受主的激活温度.经牺牲Ni退火后,p型比接触电阻率随退火温度的升高呈先变小后变大的规律,随Ni覆盖层厚度的增加呈先变小后变大随后又变小的趋势;经过优化后,当Ni覆盖层厚度为1.5nm,退火温度为450℃,Pt与p-GaN比接触电阻率在不需要二次退火的情况下达到6.1×10-5Ω·cm2.
- 王光绪陶喜霞熊传兵刘军林封飞飞张萌江风益
- 关键词:氮化镓
- 外延片在线弯曲测量仪的研制
- 由于现有商用在线弯曲测量仪的局限性,为了能更好的了解图形Si衬底GaN外延生长过程中的应力变化,我们设计制造了在线弯曲测量仪,并得到了生长过程中外延片的弯曲变化。本文介绍了仪器的测量原理,硬件和软件的系统结构,发现整个测...
- 刘苾雨方文卿刘军林姜乐
- 关键词:SI衬底应力GAN
- 文献传递
- SiON钝化膜对硅衬底氮化镓绿光LED可靠性的影响被引量:3
- 2011年
- 研制了4种不同表面钝化类型Si衬底GaN基绿光LED,分别标记为样品A、B、C、D。样品A无钝化层,样品B为台面SiON钝化,样品C为侧面SiON钝化,样品D为台面和侧面均钝化。将4种样品进行了常温60 mA(电流密度312 A/cm2)下168 h的加速老化,并对比了老化前后的I-V和光衰等特性。结果表明:侧边的SiON钝化层可有效抑制有源区内非辐射复合缺陷的增加,从而有效降低器件老化后的漏电流和光衰。与台面上的SiON相比,侧边的SiON对钝化起到了决定性作用。
- 邱虹刘军林王立江风益
- 关键词:SIONSI衬底光衰
- 图形硅衬底GaN基发光二极管薄膜去除衬底及AlN缓冲层后单个图形内微区发光及应力变化的研究被引量:1
- 2015年
- 研究了图形硅衬底上外延生长的氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)薄膜、去除硅衬底后的无损自由状态LED薄膜以及去除氮化铝(AlN)缓冲层后的自由状态LED薄膜单个图形内的微区光致发光(PL)性能,用荧光显微镜与扫描电镜观测了去除.AlN缓冲层前后LED薄膜断面弯曲状况的变化.研究结果表明:1)去除硅衬底后,自由支撑的LED薄膜朝衬底方向呈柱面弯曲状态,且相邻图形的柱面弯曲方向不一致,当进一步去除AlN缓冲层后薄膜会由弯曲变为平整;2)LED薄膜在去除硅衬底前后同一图形内不同位置的PL谱具有显著差异,而当去除AlN缓冲层后不同位置的PL谱会基本趋于一致;LED薄膜每一位置的PL谱在去除硅衬底后均出现明显红移,进一步去除AlN缓冲层后PL谱出现程度不一的微小蓝移;3)自由支撑的LED薄膜去除AlN缓冲层后,PL光强随激光激发密度变化的线性关系增强,光衰减得到改善.
- 张超宇熊传兵汤英文黄斌斌黄基锋王光绪刘军林江风益
- 关键词:氮化镓发光二极管光致发光
- 硅衬底GaN基单量子阱绿光LED量子效率的研究
- 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在Si(111)衬底上生长了InGaN/GaN单量子阱(SQW)绿光材料,并制备成n面向上(Pt基反射镜、无表面粗化)的垂直结构发光二极管(LED),研究了主波长(WLD)分别为51...
- 王光绪熊传兵刘彦松程海英刘军林江风益
- 关键词:GAN绿光LED硅衬底单量子阱量子效率
- 文献传递