国家重点基础研究发展计划(G200068302)
- 作品数：5 被引量：18H指数：2
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- 相关机构：北京工业大学中国科学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划北京市教委基金资助项目北京市科委基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 电子束蒸发非晶硅光学薄膜工艺研究被引量：11
- 2006年
- 研究了沉积时真空室真空度、基片温度和沉积速率对常用电子束蒸发非晶硅（a-Si）光学薄膜的折射率和消光系数的影响。结果表明，在300～1100nm的波长范围内，真空室真空度、基片温度和沉积速率越高，则所得a-Si薄膜折射率越高，消光系数越大。并将实验结果用于半导体激光器腔面高反镜用a—Si膜镀制，发现在选择初始真空为1E-6×133 Pa、基片温度为100℃和沉积速率为0．2nm／s时所得高反镜的光学特性比较好，在808nm处折射率和消光系数分别为3．1和1E-3。
- 舒雄文徐晨田增霞罗丹沈光地
- 关键词：消光系数半导体激光器
- 电子束蒸发Ar离子辅助沉积Si光学薄膜的特性被引量：2
- 2006年
- 对用常规电子束蒸发和Ar离子辅助沉积所得的非晶硅光学薄膜的光学常数、表面形貌、热稳定性和湿度稳定性等进行了研究。结果发现Ar离子辅助沉积所得非晶硅光学薄膜的折射率大大提高,表面粗糙度明显降低,湿度稳定性和热稳定性也得到较大改善,但是光学带隙变窄,光学吸收增加。
- 舒雄文徐晨田增霞沈光地
- 关键词：光学薄膜离子辅助沉积光学常数
- LD内损耗测试新方法
- 2006年
- 提出了一种新的测试LD内损耗方法,它通过对后腔面镀高反膜,并对前腔面镀不同反射率增透膜,然后根据外微分量子效率倒数1/ηe与1/ln[1/(RfRr)的线性关系(Rf和Rr分别为前后腔面反射率)求出内损耗值。这样可以消除常用的测试LD内损耗方法中因管座反射带来的误差,使误差降低达15%。
- 舒雄文徐晨田增霞沈光地
- 关键词：光功率
- 高反膜的计算机模拟及对实践的指导意义
- 2006年
- 本文利用计算机对多层介质高反膜反射谱的模拟发现,当构成高反膜系的高、低两种折射率材料的光学厚度不一致时,反射带两侧的第一个谷值的大小将不同,据此作者认为在高反膜镀制时可根据反射带两侧第一个谷值大小情况来调节高反膜中单层膜厚度,实验结果证明了模拟结果的正确性,同时也确证了作者提出的这种方法是可行的。
- 舒雄文田增霞徐晨沈光地
- 关键词：高反膜光学厚度
- 808nm大功率半导体激光器腔面光学膜工艺被引量：9
- 2005年
- 用电子束蒸发离子辅助镀膜方法为808nm大功率半导体激光器镀制了 SiO2/TiO2 高反膜及 SiO2 或 Al2O3减反膜,结果表明镀膜后激光器外微分量子效率明显提高(由 0 7 提高到 1 24),而且可在一定范围内调节阈值电流密度,器件寿命也有很大提高.对这种方法所镀制的 SiO2/TiO2 膜用作 808nm半导体激光器高反膜的可行性进行了分析和探讨,认为是一种可行的方法.
- 舒雄文徐晨徐遵图朱彦旭沈光地
- 关键词：阈值电流密度
