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中央高校基本科研业务费专项资金(DUT11LK43)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：杨德超宋世巍杜国同柳阳邱宇更多>>
相关机构：浙江水晶光电科技股份有限公司大连理工大学中国科学院更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家重点实验室开放基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇GAN
  • 1篇LED
  • 1篇残余应力
  • 1篇衬底

机构

  • 1篇大连理工大学
  • 1篇吉林大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇浙江水晶光电...

作者

  • 1篇夏晓川
  • 1篇梁红伟
  • 1篇申人升
  • 1篇邱宇
  • 1篇柳阳
  • 1篇杜国同
  • 1篇宋世巍
  • 1篇杨德超

传媒

  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
衬底弯曲度对GaN基LED芯片性能的影响
2013年
利用低压MOCVD系统在弯曲度值不同的蓝宝石衬底上生长了GaN基LED外延结构并制作芯片。测量了芯片的主要电学和光学参数,并分析了衬底弯曲度值对芯片性能的影响。分析结果表明:存在弯曲度的衬底预先弛豫了外延层中的部分应力,改善了外延层的质量,从而提高了LED芯片的性能。随着衬底弯曲度值的逐渐增加,下层GaN对有源层中InGaN材料的压应力作用不断减小,导致芯片的主波长逐渐发生蓝移。
杨德超梁红伟邱宇宋世巍申人升柳阳夏晓川俞振南杜国同
关键词：GANLED残余应力
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