国家自然科学基金(51372027)
- 作品数：7 被引量：8H指数：2
- 相关作者：张志华陶华龙林龙陈晓王岩国更多>>
- 相关机构：大连交通大学河南理工大学中国科学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河南省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信化学工程更多>>
- 焦耳热效应、电击穿和应力对单根GaN纳米线I-V曲线的影响被引量：1
- 2019年
- 利用原位透射电子显微术,研究了单根GaN纳米线I-V曲线与热效应、电击穿和压电效应的关系.在透射电子显微镜内构建一个基于GaN纳米线的金属-半导体-金属结构,测量单根纳米线的I-V曲线.随着连续测量次数的增加,纳米线的温度升高,电流逐渐增加,且I-V曲线由最初的不对称逐渐变得近乎对称;纳米线在较低电压下长时间连续测量后被击穿,I-V曲线对测量次数不再敏感.将GaN纳米线压弯后,电流明显下降,压电效应明显.分析表明,单根纳米线测量时的时间间隔和接触应力情况等是I-V曲线变化的重要因素.本研究可为极性纳米线的原位电学性质研究提供实验参考.
- 陈晓陈晓王岩国谷林
- 关键词：GAN纳米线电击穿压电效应
- K_(0.8)Fe_(1.7)SeS超导体内的畴区形貌及三维分布研究
- 2013年
- 本文利用高角环形暗场像(HAADF)和衍衬像研究了K0.8Fe1.7SeS超导样品的超导畴区形貌及三维分布。在[001]带轴下观察到两类形貌的超导畴区,一类畴区尺寸为1μm左右,另一类为由几十纳米大小的小畴区组成的阵列。选区电子衍射和电子能量损失谱结果表明母体区对应Fe空位有序,而超导畴区可能对应K空位有序。STEM-EDS元素Mapping表明超导畴区边缘处K元素含量较多,K0.8Fe1.7SeS超导样品中可能至少存在三个相,分别为:K空位有序超导相、畴区外部Fe空位有序基体相以及两种空位有序区的过渡相。在[100]带轴下观察到了超导畴区具有连通性,构建了K0.8Fe1.7SeS超导样品中超导畴区的三维分布图。
- 陈晓周婷婷姚湲王岩国禹日成段晓峰张志华谷林
- Cr掺杂4H-SiC电子结构的第一性原理计算被引量：4
- 2015年
- 通过第一性原理计算研究了Cr掺杂4H-SiC电子结构和磁性.计算结果表明Cr掺杂引入空穴,产生自旋极化,Cr原子提供局域磁矩.计算了14种可能的掺杂组态,确定了最稳定的组态.磁耦合计算表明Cr原子磁矩通过Cr0:3d-C∶2p-Cr1∶3d链耦合,处于铁磁基态.Cr掺杂4H-SiC体系的铁磁机理是空穴作为载流子的双交换机制,C与Cr原子间强烈的p-d轨道间杂化作为铁磁交换的媒介.
- 林龙刘铁铮陶华龙张志华
- 关键词：稀磁半导体电子结构第一性原理4H-SIC
- N掺杂6H-SiC电子结构的第一性原理计算被引量：2
- 2018年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法，对本征6H-SiC和Si空位、C空位、N掺杂6H-SiC的电子结构及磁性进行了计算。计算结果表明：本征6H-SiC和单一的N掺杂6H-SiC均没有磁性，但可以通过Si空位的引入产生自旋极化。在N和Si空位共掺杂6H-SiC的结构中，Si空位近邻的C原子自旋向上与自旋向下的态密度图明昆不对称，主要是由与Si空位近邻的C-2p轨道的自旋极化引起的。N和2个Si空位共掺杂6H-SiC的结构呈现反铁磁性。
- 林龙祝令豪徐永豪张志华陶华龙黄敬涛王朋涛李先宏张战营赵瑞奇
- 关键词：稀磁半导体电子结构第一性原理
