上海第二工业大学校基金(QD209012)
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- 纳米CMOS工艺下互连测试结构的设计与实现
- 2010年
- 集成电路制造技术进入纳米时代后,互连线制造过程中出现的半导体材料和工艺物理特性变异已不是仅靠晶圆厂或掩模厂采用的分辨率增强技术所能矫正。结合目前后段制程的工艺特点,设计了平行板电容、层跃平行板电容、叉指型电容、叉指型通孔链电阻等提取标准互连线性能参数的无源测试结构套件,并采用高阶Perl语言将其自动实现,极大地提高了测试结构设计和实现的效率。在此基础上,为建立可制造性设计的物理设计规则和进一步研发纳米工艺中互连线特有的各种新物理现象奠定了基础。
- 张永红毕烨
- 关键词：互连线
- 面向可制造性设计的铜互连有源测试结构的设计与实现
- 2010年
- 随着超大规模集成电路制造技术的不断进步,互连线寄生电容已经成为超大规模集成电路延时和噪声的主要来源。提出并实现了一种基于电荷测量技术的互连寄生电容测试结构。利用这种结构可研究互连线和相关介质的几何尺寸变化,并可反馈应用到器件的可制造性设计和工艺模型的建立中去。
- 张永红毕烨
- 关键词：可制造性设计铜互连电容提取
- 两层金属场极板高压LDMOS的优化设计
- 2011年
- 采用场极板结终端技术提高LDMOS击穿电压,借助二维器件仿真器MEDICI软件对基于体硅CMOS工艺500V高压的n-LDMOS器件结构和主要掺杂参数进行优化,确定漂移区的掺杂浓度(ND)、结深(Xj)和长度(LD)。对多晶硅场极板和两层金属场极板的结构参数进行模拟和分析,在不增加工艺复杂度的情况下,设计一种新型的具有两层金属场极板结构的500Vn-LDMOS。模拟结果表明,双层金属场极板结构比无金属场极板结构LDMOS的击穿电压提高了12%,而这两种结构LDMOS的比导通电阻(RS)基本一致。
- 张永红黄瑞
- 关键词：LDMOSFET击穿电压比导通电阻
