江西省教育厅科学技术研究项目(CJJ10380)
- 作品数：1 被引量：3H指数：1
- 相关作者：王震东陈国荣莫晓亮更多>>
- 相关机构：复旦大学南昌大学更多>>
- 发文基金：上海市科委科研计划项目江西省教育厅科学技术研究项目更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- CuInS_2薄膜的单源热蒸发制备及其性能研究被引量：3
- 2011年
- 本文以烧结合成的CuInS2粉末为原料,采用单源热蒸发技术在玻璃基底上沉积CuInS2薄膜。随着退火温度的升高,薄膜的结晶性能增强,表现出高度的(112)晶面择优取向,SEM观察显示:350℃退火后,薄膜致密,晶粒细小,大小为数十纳米。同时,热探针测试发现:薄膜的导电类型为弱N型。光学性能方面,当退火温度高于250℃时,CuInS2薄膜的禁带宽度为1.50 eV,接近吸收太阳光谱所需的理想禁带宽度值。
- 王震东莫晓亮陈国荣
- 关键词：真空烧结
