微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室基金(9140C1406020708)
- 作品数：4 被引量：5H指数：2
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- 相关机构：电子科技大学微波毫米波单片集成和模块电路国家级 重点实验室南京电子器件研究所更多>>
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- 短波长OEIC光接收机前端设计及制作被引量：2
- 2008年
- 基于国内的材料和工艺技术,研制出850nm单片集成光接收机前端,集成形式包括PIN/TIA、PIN/DA、MSM/TIA和MSM/DA等。对光探测器和电路分别进行了研究和优化。通过Silvaco软件,建立了探测器器件模型,并通过实验数据验证。分布放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ,输入、输出驻波比均小于2,噪声系数在3.03～6.5dB之间。跨阻前置放大器-3dB带宽接近10GHz,跨阻增益约43dBΩ,输入、输出驻波比均小于3.5,噪声系数在4～6.5dB之间。集成芯片最高工作速率达到5Gb/s。
- 范超陈堂胜陈辰焦世龙陈镇龙刘霖王昱琳叶玉堂
- 关键词：光电集成电路光接收机前端跨阻放大器
- 光电集成光接收机前端及限幅放大器的研制被引量：3
- 2010年
- 基于国内的材料生产和半导体工艺条件,研制了10 Gb/s光电集成(OEIC)光接收机前端,并采用耗尽型赝配高电子迁移晶体管(PHEMT)设计并实现了限幅放大器。光接收机前端组成形式为金属-半导体-金属(MSM)光探测器和电流模跨阻放大器,借助模拟软件SILVACO建立并优化了器件模型,探测器光敏面50μm×50μm,带宽超过10 GHz,电容约3 fF/μm。研究并改进了腐蚀自停止工艺并实际应用于OEIC器件制作,芯片面积为151Iμm×666μm。限幅放大器采用无源电感扩展带宽,并借助三维电磁仿真软件HFSS进行模拟仿真。限幅放大器芯片面积为1950μm×1910μm,在3.125 Gb/s传输速率下,分别输入信号幅度为10和500 mV,可以得到500 mV恒定输出摆幅。
- 范超陈堂胜杨立杰冯欧焦世龙吴云峰叶玉堂
- 关键词：集成光学限幅放大器
- 5Gb／s单片集成光接收机前端模拟仿真及研制被引量：1
- 2008年
- 基于0.5μmGaAs PHEMT标准工艺研制了850nm单片集成光接收机前端,集成方式为PIN光探测器和跨阻放大器。论文依据已发表的文献数据为基础并借助SILVACO公司的模拟软件建立探测器模型,实验结果表明,模型和实测结果对比有较好的一致性。光接收机最高工作速率5Gb/s,其中,探测器光敏面直径50μm,电容0.51pF,暗电流小于30nA。跨阻放大器-3dB带宽接近10GHz,跨阻增益约43dBΩ,最小等效输入噪声电流密度约为17.6pA/Hz1/2。
- 范超陈堂胜陈辰焦世龙陈镇龙刘霖王昱琳叶玉堂
- 关键词：光电集成电路PHEMT跨阻放大器ATLAS
- OEIC台面腐蚀工艺研究
- 2009年
- 深入研究了牺牲层腐蚀机制,摸索出完整的台面自停止工艺并实际应用于OEIC器件制作。实验中发现了侧蚀、台面变形以及表面清洁等问题。从实验现象着手分析,并由此对工艺进行了改进,采用了新的腐蚀剂和工艺步骤。改进后的工艺解决了上述问题,可以完全满足后续工艺的要求。
- 范超栗锐陈堂胜杨立杰冯欧冯忠陈辰焦世龙叶玉堂
- 关键词：光电集成电路
