中国工程物理研究院科学技术发展基金(2009A0301015)
- 作品数：4 被引量：3H指数：2
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- Fcc单相氚化铒时效过程的XRD研究
- 氚衰变生成氦-3聚集会引起临氚和贮氚材料物理和化学性能的明显变化。本研究工作以fcc单相氚化铒为研究对象,建立了氚化物薄膜的XRD分析方法,运用X-射线衍射仪对原子比为2.14和2.17的氚化铒膜时效过程的晶体结构变化开...
- 周晓松刘琼
- 文献传递
- Si基Sc膜的制备及结构分析
- 2012年
- 采用电子束镀膜方法在Si基底上制备了Sc膜,利用XRD,SEM分析了不同镀膜工艺条件下制备的Sc膜的形貌和结构。结果表明:基底温度在350～550℃时,薄膜主要由单质Sc组成,而且随着基底温度的升高,膜的颗粒尺寸增大,膜也变得更加致密;基底温度提高至650℃时,膜全部由ScSi化合物组成,膜变成颗粒状结构。沉积速率对低温时Sc膜的形貌与结构的影响不明显,颗粒尺寸随沉积速率的增大而增大,但物相结构基本没有发生变化;而在高温650℃时,沉积速率对膜的形貌与结构产生了很大的影响,随着沉积速率的增大,膜表面出现了大量微裂纹,而且较低的沉积速率有利于获得衍射峰单一的膜,增大沉积速率将会导致衍射峰数量明显增加。
- 吴清英邴文增刘锦华罗顺忠
- 关键词：钪基底温度沉积速率形貌
- 氘化及氦离子注入对钪膜的表面形貌和相结构的影响被引量：2
- 2012年
- 采用XRD,SEM,AFM等详细研究了氘化及氦离子注入对钪膜的表面形貌和相结构的影响.结果表明,在单晶硅及抛光Mo基片上制备的钪膜均具有(002)晶面择优取向;钪膜氘化后表面会出现大量孔洞,氘化后氘化钪(ScD2)晶粒长大,但内部会残留少量未完全氘化反应的晶粒尺寸较小的ScD_(0.33)/Sc晶粒;氦离子注入对钪及氘化钪的表面形貌没有明显影响,离子注入的氦将在钪及氘化钪晶格中聚集成泡,导致氦离子注入层中的钪及氘化钪衍射峰向低角度偏移,并且氦泡的聚集具有择优取向性.
- 彭述明申华海龙兴贵周晓松杨莉祖小涛
- 关键词：氘化表面形貌
- 衬底材料及基底温度对Sc膜形貌、结构的影响
- 2012年
- 在不同基底温度下,用电子束蒸镀法在未抛光Mo、抛光Mo及Si〈111〉基片上制备了Sc膜,并用XRD、SEM及AFM对薄膜的微观结构和表面形貌进行了分析测试。结果表明:衬底材料、基底温度对Sc膜结构、形貌的影响极大。物相结构相同的Mo基底,抛光Mo上的Sc膜表面较平整,倾向于混合生长;而粗糙Mo基底上Sc膜凸凹不平,为岛状生长。提高基底温度有利于抛光Mo基底上Sc膜的(002)方向择优生长,但高温时会导致Si基底上膜表面的物相由单质Sc变为ScSi化合物,作为吸氢材料,ScSi化合物的形成不利于吸氢,应尽量避免其生成。
- 吴清英罗顺忠陈静龙兴贵邴文增
- 关键词：电子束蒸发钪衬底材料基底温度
- 铒、钪膜中离子注入氦的热解析行为被引量：2
- 2012年
- 采用热解析法初步研究了铒、钪膜中离子注入氦的热解析行为。研究结果表明:同种元素铒中离子注入氦的热释放峰位相同,但膜的致密性将影响氦的释放量,结构疏松的膜中存在的孔洞是氦的快速释放通道;在相同注入剂量和能量条件下,铒、钪膜中注入氦的热释放峰位不同,这可能与氦在铒、钪膜中的深度分布及膜的致密性有关,利用质子增强背散射法测量出能量为60keV的4 He+在铒、钪膜中的注入深度分别为210,308nm。
- 周晓松申华海彭述明龙兴贵杨莉祖小涛
- 关键词：热解析
