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超高速专用集成电路重点实验室基金(51432010204Jw1401)
作品数:
3
被引量:4
H指数:1
相关作者:
王伟
郭维廉
牛萍娟
于欣
宋瑞良
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相关机构:
天津大学
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发文基金:
超高速专用集成电路重点实验室基金
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相关领域:
电子电信
电气工程
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RTD
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电阻
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特性分析
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离子注入
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RTT
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BJT
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I-V特性
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串联电阻
机构
3篇
天津工业大学
3篇
天津大学
作者
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于欣
3篇
牛萍娟
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郭维廉
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王伟
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胡留长
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梁惠来
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毛陆虹
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张世林
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宋瑞良
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苗长云
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齐海涛
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李建恒
传媒
2篇
Journa...
1篇
微纳电子技术
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1篇
2008
2篇
2007
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共振隧穿晶体管的反相器统一模型
被引量:1
2007年
综合分析了各种不同结构的共振隧穿晶体管(RTT),将其等效为一反相器电路,建立了一个统一的RTT模型.在此模型中,按照处理反相器的方法来分析RTT的I-V特性,对各种不同类型的I-V特性给出了统一的解释.该模型所导出的结果与相应的电路模拟和电路模拟实验结果相一致.此RTT反相器统一模型可成为分析和设计各种RTT器件的有力工具.
郭维廉
牛萍娟
苗长云
于欣
王伟
梁惠来
张世林
李建恒
宋瑞良
胡留长
齐海涛
毛陆虹
关键词:
RTT
I-V特性
平面型RTD与BJT构成的串联单元特性分析
2007年
采用了n+-GaAs衬底和硼离子注入的新型工艺实现了共振隧穿二极管(RTD)的平面化,解决了台面型RTD工艺的不足,得到常温电流峰谷比为2.51∶的平面型RTD(PRTD);利用高级设计系统ADS电路模拟和实验测量对PRTD与BJT串联单元的不同串联方式的电压-电流特性进行了深入分析。这一特性的研究对RTD与异质结双极晶体管(HBT)、MOSFET、高电子迁移率晶体管(HEMT)等三端器件的结合具有普遍意义。
王伟
牛萍娟
郭维廉
于欣
胡留长
关键词:
离子注入
一种测量RTD串联电阻的新方法
被引量:3
2008年
根据RTD峰值电压Vp与串联电阻RS、外加电阻Rex的关系,提出一种新的测量RTD串联电阻RS的方法.实验证明该方法具有准确、简便、快速等特点.文中给出Vp与RS,Rex关系的推导,RS测量原理、测量结果和与其他RS测量方法的比较.
郭维廉
宋瑞良
王伟
于欣
牛萍娟
毛陆虹
张世林
梁惠来
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