中国博士后科学基金(2011M500569)
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
- 相关作者：李俊周帆张建华张志林蒋雪茵更多>>
- 相关机构：上海大学更多>>
- 发文基金：中国博士后科学基金国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 用反应溅射法沉积SiO_x绝缘层的InGaZnO-TFT的光照稳定性(英文)
- 2012年
- 制备了基于反应溅射SiOx绝缘层的InGaZnO-TFT,并系统地研究了InGaZnO-TFT在白光照射下的稳定性,主要涉及到光照、负偏压、正偏压、光照负偏压和光照正偏压5种情况。结果表明,器件在光照和负偏压光照下的阈值偏移较大,而在正偏压光照情况下的阈值偏移几乎可以忽略。采用C-V方法证明阈值电压漂移是源于绝缘层/有源层附近及界面处的缺陷。另外,采用指数模式计算了缺陷态的弛豫时间。本研究的目的就是揭示InGaZnO-TFT在白光照射和偏压下的不稳定的原因。
- 李俊周帆张建华蒋雪茵张志林
- 关键词：薄膜晶体管
- N_2O Plasma表面处理对SiN_x基IGZO-TFT性能的影响被引量：2
- 2012年
- 采用N2O plasma处理SiNx薄膜作为绝缘层,以室温下沉积的铟镓锌氧化物(IGZO)作为有源层制备了IGZO薄膜晶体管。与常规的IGZO-TFT相比,N2O plasma处理过的IGZO-TFT的迁移率由原来的4.5 cm2.V-1.s-1增加至8.1 cm2.V-1.s-1,阈值电压由原来的11.5 V减小至3.2 V,亚阈值摆由原来的1.25 V/decade减小至0.9V/decade。采用C-V方法计算了两种器件的陷阱态,结果发现N2O plasma处理过的IGZO-TFT的陷阱态明显小于普通的IGZO-TFT的陷阱态,表明N2O plasma处理SiNx绝缘层是一种改善IGZO-TFT器件性能的有效方法。
- 李俊周帆林华平张浩张建华蒋雪茵张志林
- 关键词：INGAZNON2O
