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退火温度对TiO_2及Nb掺杂TiO_2薄膜的影响被引量：6: 2011年; 采用溶胶-凝胶法在普通载玻片上制备了均匀透明的TiO2薄膜和掺Nb的TiO2薄膜,利用XRD,UV-VIS等手段,研究了退火温度对薄膜的结构、紫外-可见光区透射率、光学禁带宽度等性质的影响,并分析了掺杂Nb对TiO2薄膜晶体结构和光学性能的影响。实验结果表明:退火温度越高,薄膜生长取向越好,晶粒尺寸越大,光透过率越低;掺杂Nb后,能明显改善其结晶与生长,并降低其晶粒尺寸,透射率光谱吸收边缘产生蓝移现象。; 刘涛陈倩赵小如; 关键词：TIO2薄膜溶胶凝胶退火温度光电性能

热处理对Al掺杂ZnO薄膜晶体结构及光电性能的影响被引量：7: 2010年; 采用溶胶凝-胶法在普通玻璃衬底上制备了具有c轴择优取向的Al掺杂ZnO透明导电薄膜。实验中将热处理过程分解为预烧、空气退火和真空退火三个部分,研究了各个步骤对于ZAO薄膜晶体结构和光电性能的影响。结果表明,500℃预烧550℃空气退火的薄膜,经过550℃,1×10-2Pa真空退火后,其晶体结构和光电性能达到最佳,电阻率最低达到1.77×10-3Ω.cm,可见光范围内的平均透过率约为85%。; 刘金铭赵小如赵亮张安王丹红邵继峰曹萌萌常晓; 关键词：溶胶-凝胶法晶体结构光电性能

基于表面势的非晶IGZO薄膜晶体管分析模型被引量：1: 2011年; 报道了一种适于模拟n沟道非晶IGZO薄膜晶体管(a-IGZO TFT)的直流I-V特性的分析模型。该模型充分考虑了深能级类受主态对自由电子的捕获,并将表面势的概念引入a-IGZO TFT结构。在分析器件能带结构和载流子输运的基础上,参考Si基MOSFET中表面势模型的分析方法,利用半导体-绝缘体界面电荷的泊松方程表达,并结合能带-电压关系,导出了器件饱和区和非饱和区的I-V解析表达式。通过Matlab编程模拟了a-IGZOTFT的转移特征曲线和输出特征曲线,对文献中实验数据进行拟合发现,提出的模型与实验数据均能很好地吻合。该模型结构简明,所包含的参数物理意义明确,有很强的实用性。; 张安赵小如段利兵赵建林白晓军; 关键词：薄膜晶体管表面势态密度解析模型

pH值对溶胶-凝胶法制备的掺铝氧化锌薄膜光电性能的影响被引量：24: 2009年; 采用溶胶-凝胶法在普通载玻片上制备出c轴择优取向的ZnO∶Al(ZAO)透明导电薄膜,研究了溶胶pH值对其结构、表面形貌、电学和光学性能的影响。结果表明:随着pH值的降低晶粒尺寸增大;当溶胶pH值从8.4降低到6.8时,薄膜的电阻率先降低而后略有升高,当pH值为7.2时其电阻率达到最小值2.6×10-3Ω.cm,进一步分析表明,溶胶pH值的变化影响了薄膜晶界散射,而后者又使载流子迁移率发生了变化;薄膜的透光率在可见光部分随着pH值的降低而升高,而禁带宽度则从3.36 eV降到3.32 eV。; 刘凯赵小如赵亮姜亚军南瑞华魏炳波; 关键词：溶胶-凝胶法透明导电薄膜铝掺杂

新型透明导电氧化物薄膜Nb-TiO_2的研究进展被引量：8: 2009年; 新型透明导电氧化物薄膜Nb-TiO2因其优异的光电性能成为当今研究的热门材料。本文详细阐述了Nb-TiO2薄膜的光电性能、影响Nb-TiO2光电特性的因素与机理以及目前的研究进展、前沿动态等,着重讨论了载流子浓度及其散射过程对光学透过率和导电性能的影响。; 冯娴娴赵小如刘凯刘波赵亮; 关键词：透明导电氧化物薄膜

掺杂氧化锌薄膜的最新进展被引量：4: 2009年; 掺杂氧化锌(ZnO)薄膜是一种新型的透明导电氧化物(TCO)材料,因有替代氧化铟锡(ITO)的潜能而成为当今TCO材料中的研究热点,其优异的光学和电学性能使其在平板显示器、太阳能电池等光电器件中具有光明的应用前景。文章对ZnO基半导体材料的结构和性能进行了介绍,综述了近年来以ZnO薄膜为基体的n型和p型掺杂的研究进展,并在此基础上对未来的发展方向进行了展望。; 刘波赵小如冯娴娴刘凯赵亮; 关键词：氧化锌透明导电电阻率透过率

Numerical study on the dependence of ZnO thin-film transistor characteristics on grain boundary position: 2011年; The dependence of transistor characteristics on grain boundary （GB） position in short-channel ZnO thin film transistors （TFTs） has been investigated using two-dimensional numerical simulations. To simulate the device accurately, both tail states and deep-level states are taken into consideration. It is shown that both the transfer and output characteristics of ZnO TFTs change dramatically with varying GB position, which is different from polycrystalline Si （poly-Si） TFTs. By analysing the mechanism of the carrier transportation in the device, it is revealed that the dependence is derived from the degrees of carrier concentration descent and mobility variation with CB position.; 张安赵小如段利兵刘金铭赵建林

ZnO缓冲层退火温度对TiO_2∶Eu/ZnO薄膜光致发光性能的影响: 2011年; 采用溶胶-凝胶法在普通载玻片上制备出以ZnO为缓冲层、稀土Eu3+掺杂的TiO2薄膜,研究了ZnO缓冲层退火温度对TiO2∶Eu薄膜的光致发光性能以及晶体结构的影响。结果表明,随着ZnO层退火温度的升高,薄膜的PL谱增强,在500℃退火时达到最强;XRD显示,TiO2∶Eu3+/ZnO薄膜中有很强的ZnO(002)衍射峰,但是TiO2的(101)衍射峰却很微弱,且ZnO在500℃退火时TiO2的(101)衍射峰最弱。; 王丹红赵小如谢海燕刘金铭白晓军陈长乐; 关键词：光致发光氧化钛 EU掺杂

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国家自然科学基金(50872112)