国家重点基础研究发展计划(G2000068303)
- 作品数：12 被引量：63H指数：3
- 相关作者：王占国张春玲赵凤瑷陈涌海刘峰奇更多>>
- 相关机构：中国科学院兰州大学武警医学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 量子点的原子力显微镜测试结果分析:数学形态学的实现
- 2005年
- 提出了从原子力显微镜(AFM)照片中分割出量子点的算法,可以利用程序自动地统计照片中量子点的各种数据.该算法基于数学形态学的方法,包括三个步骤:首先根据照片中每个局部最高点的dynamics值,利用标记分水岭分割方法初步将每个量子点分开;第二步根据量子点的定义,从每个区域中提取出量子点;第三步,为了防止分割过程中将部分衬底一起提取,利用量子点的高度-面积分布,将多余衬底滤去.该算法具有快速、对噪声不敏感的特点,能准确地提取量子点的高度、横向尺寸、体积等数据.
- 金峰鲁华祥李凯陈涌海王占国
- 关键词：数学形态学自动统计
- 利用GaAs基上InGaAs应变层制备有序排列的InAs量子点被引量：1
- 2004年
- 在 Ga As基 Inx Ga1 - x As(x=0 .15 )应变层上生长了 In As量子点 (QD)层 ,通过分析各层之间的应力状况和位错的演变过程 ,配合生长过程中对反射式高能电子衍射仪 (RHEED)实时监测 ,并观察生长后的表面形貌 ,发现可以通过控制应变层厚度来控制应变层表面布纹结构的宽度 ,而且在应变层厚度低于位错增殖的临界厚度时布纹宽度较窄 .如果同时控制 QD层在刚刚出点 ,则 QD主要沿着较窄的布纹结构排列 ,从而得到有序排列的
- 张春玲赵凤瑷徐波金鹏王占国
- 关键词：量子点
- InAs/GaAs柱形岛的制备及特性研究被引量：6
- 2004年
- 利用固源分子束外延 (MBE)的方法经SK模式自组装生长由多层InAs/GaAs量子点组成的柱形岛 .具体分析了GaAs间隔层厚度 ,生长停顿时间以及InAs淀积量对发光峰波长的影响 .原子力显微镜 (AFM)结果显示柱形岛表面的形状和尺寸都比较均匀 ;室温下不同高度的柱形岛样品的发光波长分别达到 1 32和 1 4 μm ,而单层量子点的发光波长仅为 1 1μm ,充分说明了量子点高度对发光波长的决定性影响 ,这为调节量子点发光波长提供了一种直观且行之有效的方法 .
- 朱天伟徐波何军赵凤瑷张春玲谢二庆刘峰奇王占国
- 关键词：砷化铟PL谱发光波长
- InAs/GaAs多层堆垛量子点激光器的激射特性
- 2005年
- 利用固态源分子束外延技术,按S-K模式生长出五层堆垛InAs/GaAs量子点(QD)微结构材料.用这种QD材料制成的激光器,内光学损耗为2.1cm-1,透明电流密度为15士10 A/cm2.对于条宽100μm,腔长2.4mm的激光器(腔面未经镀膜处理),室温下基态激射的波长为1.08μm,阈值电流密度为144A/cm2,连续波光功率输出达2.67W(双面),外量子效率为63%,特征温度为320K.研究了QD激光器翟激射特性,并对结果作了讨论.
- 钱家骏叶小玲陈涌海徐波韩勤王占国
- 关键词：量子点激光器MBE生长
- InP基应变自组装纳米材料及其光电子器件研究进展
- 2004年
- 半导体低维结构材料,如量子线(点)材料,由于其特殊的电子结构,在新一代光电子、微电子器件中有着重要的应用价值。本文对应变自组装InP基量子线(点)材料的生长制备、光学和电学特性及其在半导体激光器、红外探测器及其他光电子和微电子器件中的应用进行了综述,指出了目前需要改进的一些方面,并提出了一些相应的解决途径。
- 雷文陈涌海程伟明车晓玲刘俊歧黄秀颀王占国
- 关键词：INP光电子器件纳米材料红外探测器
- 解理面预处理方法对二次外延的影响被引量：1
- 2008年
- 利用超晶格解理面方法制备定位生长的InAs量子线.首先以分子束外延技术在GaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs超晶格,然后将样品取出外延系统进行解理,对解理面进行预处理之后在(110)解理面上进行二次外延.实验结果显示超晶格解理面的预处理方法对二次外延有重大影响,其中择优腐蚀比自然氧化更有利于量子线的定位生长,过高温度的脱氧除气会导致解理面的GaAs部分出现坑状结构,表明(110)面上的Ga原子容易脱附.同时,Ga原子在(110)面上的迁移长度比较大,原子的择优扩散方向为[00ī]方向.
- 张春玲唐蕾徐波陈涌海王占国
- 关键词：分子束外延量子线
- 应变自组装InAlAs量子点材料和红光量子点激光器被引量：2
- 2002年
- 通过提高量子点材料的质量和优化量子点激光器材料的结构 ,研制出高质量的应变自组装 In Al As/Al Ga As/Ga As量子点材料和低温连续激射的红光量子点激光器。
- 徐波刘会赟王占国韩勤钱家骏梁基本丁鼎刘峰奇张金福张秀兰
- 关键词：量子点材料量子点量子点激光器半导体
- 具有InAlAs浸润层的InGaAs量子点的制备和特性研究被引量：3
- 2003年
- 采用自组装方法生长了一种新型的InGaAs量子点 InAlAs浸润层结构 .通过选取合适的In组分 ,使InAlAs浸润层的能级与GaAs势垒相当 ,从而使浸润层的量子阱特征消失 .通过低温光致发光 (PL)谱的测试分析得到InGaAs量子点 InAlAs浸润层在样品中的确切位置 .变温PL谱的研究显示 ,具有这种结构的量子点发光峰的半高全宽随温度上升出现展宽 ,这明显区别于普通InGaAs量子点半高全宽变窄的行为 .这是因为采用了InAlAs浸润层后 ,不仅增强了对InGaAs量子点的限制作用 ,同时切断了载流子的转移通道 ,使得量子点更加孤立后表现出来的性质 .
- 朱天伟张元常徐波刘峰奇王占国
- 关键词：自组装半导体
- 半导体量子点及其应用(Ⅰ)被引量：49
- 2004年
- 量子点 ,又称“人造原子” ,它是纳米科学与技术研究的重要组成部分 .由于载流子在半导体量子点中受到三维限制而具有的优异性能 ,构成了量子器件和电路的基础 ,在未来的纳米电子学、光电子学 ,光子、量子计算和生命科学等方面有着重要的应用前景 ,受到人们广泛重视 .文章分为Ⅰ、Ⅱ两个部分 :第Ⅰ部分介绍了半导体量子点结构的制备和性质 ;第Ⅱ部分介绍了量子点器件的可能应用 .
- 赵凤瑷张春玲王占国
- 关键词：半导体量子点
- Al_xGa_(1-x)As/GaAs分布布拉格反射镜的湿法氧化(英文)被引量：1
- 2005年
- 对垂直腔面发射激光器(VCSEL)的AlxGa1-xAs/GaAs分布布拉格反射镜(DBR)进行了高温湿法氧化.由于AlxGa1-xAs层的氧化产生了应力而导致Al2O3/GaAs界面处出现了孔洞.这些孔洞反过来又缓解了应力而使氧化层的厚度只收缩了8%而不是理论上的20%.并且,随着氧化时间的延长,湿法氧化反应中的反应物和产物沿着多孔界面在氧化物中的传输越充分,从而使AlGaAs层的氧化进行的越完全,氧化质量就越好.
- 李若园王占国徐波金鹏张春玲郭霞陈敏
- 关键词：垂直腔面发射激光器分布布拉格反射器
