国家重点基础研究发展计划(G2000068301)
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 相关作者：周帆王圩朱洪亮边静王宝军更多>>
- 相关机构：中国科学院更多>>
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- 相关领域：电子电信更多>>
- 多量子阱电吸收调制DFB激光器的一种新型LP-MOCVD对接生长方法被引量：2
- 2003年
- 提出了一种提高多量子阱电吸收调制DFB LD集成器件 (EML)耦合效率的对接生长方法 .采用LP MOCVD外延方法 ,制作了对接方法不同的三种样片 ,通过扫描电镜研究它们的表面及对接界面形貌 ,发现新对接结构的样片具有更好的对接界面 .制作出相应的三种EML管芯 ,从测量所得到的出光功率特性曲线 ,计算出不同对接方法下EML管芯的耦合效率和外量子效率 .实验结果表明 ,这种对接生长方案 ,可以获得光滑的对接界面 ,显著提高了激光器和调制器之间的耦合效率 (从常规的 17%提高到 78% )及EML器件的外量子效率 (从 0 0 3mW /mA提高到 0 15mW /mA) .
- 胡小华王圩朱洪亮王宝军李宝霞周帆田惠良舒惠云边静王鲁峰
- 关键词：电吸收调制DFB激光器
- 在高阻硅衬底上制备低微波损耗的共面波导(英文)被引量：1
- 2006年
- 分别在普通的低阻硅衬底、带有3μm厚氧化硅介质层的低阻硅衬底和高阻硅衬底上设计并制备了微波传输共面波导.结果表明,低阻硅衬底导致过高的微波损耗从而不能使用,通过加氧化硅介质层,微波损耗可以大大减少,但是需要较厚的氧化硅厚度.直接制备在高阻硅衬底上的共面波导在所测试的26GHz的频率范围内获得低于2dB/cm的微波损耗,而且工艺十分简单.
- 杨华朱洪亮谢红云赵玲娟周帆王圩
- 关键词：共面波导高阻硅高频光电子封装
- 渐变掩蔽图形超低压选择区域生长法制备高质量InGaAsP多量子阱材料
- 2006年
- 采用超低压(22mbar)选择区域生长(Selective Area Growth,SAG)金属有机化学汽相沉积(Metal-organic ChemicalVapor Deposition,MOCVD)技术成功制备了高质量InGaAsP/InGaAsP多量子阱(Multiple Quantum Well,MQW)材料.在较小的掩蔽宽度变化范围内(15—30μm),得到了46nm的光荧光(Photoluminescence,PL)波长偏移量,PL半高宽(Full-Width-at-Half-Maximum,FWHM)小于30meV.为了保证选择区域内的MQWs材料的均匀性,我们采用了新型的渐变掩蔽图形,并且运用这种新型渐变掩蔽图形,研究了渐变区域的过渡效应对材料生长的影响.我们还观察到,渐变区域的能量偏调量随着掩蔽图形宽度与渐变区域长度比值的增大而出现饱和现象.
- 赵谦潘教青张靖周帆王宝军王鲁峰边静安欣赵玲娟王圩
- 关键词：超低压
