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国家重点基础研究发展计划(G2000068301)

作品数:3 被引量:3H指数:1
相关作者:周帆王圩朱洪亮边静王宝军更多>>
相关机构:中国科学院更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇多量子阱
  • 1篇电吸收
  • 1篇电吸收调制
  • 1篇电吸收调制D...
  • 1篇对接
  • 1篇多量子阱材料
  • 1篇量子阱材料
  • 1篇激光
  • 1篇激光器
  • 1篇INGAAS...
  • 1篇LOSS
  • 1篇LOW
  • 1篇LP
  • 1篇LP-MOC...
  • 1篇超低压
  • 1篇MICROW...
  • 1篇HIGH-R...

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇王圩
  • 3篇周帆
  • 2篇王鲁峰
  • 2篇朱洪亮
  • 2篇王宝军
  • 2篇边静
  • 2篇赵玲娟
  • 1篇舒惠云
  • 1篇潘教青
  • 1篇胡小华
  • 1篇赵谦
  • 1篇李宝霞
  • 1篇谢红云
  • 1篇张靖
  • 1篇安欣
  • 1篇杨华
  • 1篇田惠良

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇物理学报

年份

  • 2篇2006
  • 1篇2003
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
多量子阱电吸收调制DFB激光器的一种新型LP-MOCVD对接生长方法被引量:2
2003年
提出了一种提高多量子阱电吸收调制DFB LD集成器件 (EML)耦合效率的对接生长方法 .采用LP MOCVD外延方法 ,制作了对接方法不同的三种样片 ,通过扫描电镜研究它们的表面及对接界面形貌 ,发现新对接结构的样片具有更好的对接界面 .制作出相应的三种EML管芯 ,从测量所得到的出光功率特性曲线 ,计算出不同对接方法下EML管芯的耦合效率和外量子效率 .实验结果表明 ,这种对接生长方案 ,可以获得光滑的对接界面 ,显著提高了激光器和调制器之间的耦合效率 (从常规的 17%提高到 78% )及EML器件的外量子效率 (从 0 0 3mW /mA提高到 0 15mW /mA) .
胡小华王圩朱洪亮王宝军李宝霞周帆田惠良舒惠云边静王鲁峰
关键词:电吸收调制DFB激光器
Low-Microwave Loss Coplanar Waveguides Fabricated on High-Resistivity Silicon Substrate被引量:1
2006年
Three kinds of coplanar waveguides (CPWs) are designed and fabricated on different silicon substrates---common low-resistivity silicon substrate (LRS), LRS with a 3μm-thick silicon oxide interlayer, and high-resistivity silicon (HRS) substrate. The results show that the microwave loss of a CPW on LRS is too high to be used, but it can be greatly reduced by adding a thick interlayer of silicon oxide between the CPW transmission lines and the LRS.A CPW directly on HRS shows a loss lower than 2dB/cm in the range of 0-26GHz and the process is simple,so HRS is a more suitable CPW substrate.
杨华朱洪亮谢红云赵玲娟周帆王圩
渐变掩蔽图形超低压选择区域生长法制备高质量InGaAsP多量子阱材料
2006年
采用超低压(22mbar)选择区域生长(Selective Area Growth,SAG)金属有机化学汽相沉积(Metal-organic ChemicalVapor Deposition,MOCVD)技术成功制备了高质量InGaAsP/InGaAsP多量子阱(Multiple Quantum Well,MQW)材料.在较小的掩蔽宽度变化范围内(15—30μm),得到了46nm的光荧光(Photoluminescence,PL)波长偏移量,PL半高宽(Full-Width-at-Half-Maximum,FWHM)小于30meV.为了保证选择区域内的MQWs材料的均匀性,我们采用了新型的渐变掩蔽图形,并且运用这种新型渐变掩蔽图形,研究了渐变区域的过渡效应对材料生长的影响.我们还观察到,渐变区域的能量偏调量随着掩蔽图形宽度与渐变区域长度比值的增大而出现饱和现象.
赵谦潘教青张靖周帆王宝军王鲁峰边静安欣赵玲娟王圩
关键词:超低压
共1页<1>
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