广西壮族自治区科技攻关计划(033003-6)
- 作品数：4 被引量：6H指数：1
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- 相关领域：一般工业技术电气工程化学工程电子电信更多>>
- 真空低温烧结的SrTiO_3复合功能陶瓷被引量：1
- 2011年
- 选择SiO2作为烧结助剂,Nb2O5作为施主掺杂,MnCO3作为受主掺杂,采用真空一次烧结工艺在1200℃制备出性能优良的压敏-电容复合功能陶瓷元件,样品的电阻率ρ>105Ω.cm,压敏电压V1mA<50V,非线性系数α接近10,介电常数ε>104,介电损耗tanδ可以控制在10%以下,漏电流可以控制在50μA以下。
- 王宁章卢安栋唐江波罗婕思文章
- 关键词：真空烧结烧结助剂
- CeO_2掺杂对SrTiO_3基陶瓷介电常数的影响
- 2011年
- 为了提高钛酸锶基陶瓷的介电常数,采用固相反应法,制备了掺杂CeO2的SrTiO3陶瓷,研究了CeO2的掺杂量及真空烧结温度对所制陶瓷的介电常数的影响。结果表明:掺杂CeO2后SrTiO3基陶瓷的相对介电常数由105量级巨增至1011,当CeO2掺杂量为摩尔分数0.5%时,样品的介电常数为最大。XRD及SEM分析表明,CeO2掺杂的SrTiO3基陶瓷有第二相生成,这可能是引起所制陶瓷介电常数巨增的主要原因之一。
- 王宁章马玉田
- 关键词：钛酸锶二氧化铈介电常数
- 真空烧结对SrTiO_3功能陶瓷性能的影响被引量：5
- 2010年
- 采用真空烧结替代气氛烧结制备SrTiO3陶瓷材料,获得了既具有电容效应又具有良好压敏效应性能的SrTiO3复合功能陶瓷元件。在此基础上探讨了Nb2O5和La2O3作为单、双施主掺杂对SrTiO3功能陶瓷半导化、电性能及显微结构的影响。研究结果表明,双施主掺杂不仅可以促进SrTiO3功能陶瓷半导化,而且对显微结构有重要的影响。在x(Nb2O5)∶x(La2O3)=0.6∶0.2时可获得性能较好的半导体材料。相比于气氛烧结工艺,真空烧结同样可以得到性能优良的SrTiO3功能陶瓷材料。
- 王宁章马玉田
- 关键词：真空烧结施主掺杂电性能
- Ca^(2+)掺杂对SrTiO_3压敏陶瓷介电损耗的影响
- 2013年
- 采用真空碳管炉烧结SrTiO3陶瓷的方法,研究以CaCO3作为改性添加剂对SrTiO3陶瓷介电损耗的影响,并对添加剂的作用机理进行了解释。实验结果表明加入适量CaCO3能降低样品介电损耗。在1 300℃的烧结温度下,未掺杂有CaCO3的SrTiO3基电容-压敏陶瓷介电损耗tanδ最低为0.4,而掺杂有CaCO3的样品介电损耗有了显著变化,当CaCO3掺杂量2 mol%时,样品介电损耗tanδ为0.312。
- 宁吉王宁章高雅李建业
- 关键词：真空烧结介电损耗
