安徽省高等学校优秀青年人才基金(2006jq1151)
- 作品数：1 被引量：3H指数：1
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- Cu(In,Ga)Se_2太阳电池缓冲层ZnS薄膜性质及应用被引量：3
- 2007年
- 在含有ZnSO4,SC(NH2)2,NH4OH的水溶液中采用CBD法沉积ZnS薄膜,XRF和热处理前后的XRD测试表明,ZnS沉积薄膜为立方相结构,薄膜含有非晶态的Zn(OH)2.光学透射谱测试表明,制备的薄膜透过率(λ>500nm)约为90%,薄膜的禁带宽度约为3·51eV.ZnS薄膜沉积时间对Cu(In,Ga)Se2太阳电池影响显著,当薄膜沉积时间在25～35min时,电池的综合性能最好.对比了不同缓冲层的电池性能,采用CBD-CdS为缓冲层的电池转换效率、填充因子、开路电压稍高于CBD-ZnS为缓冲层的无镉电池,但无镉电池的短路电流密度高于前者,两者转换效率相差2%左右.ZnS可以作为CIGS电池的缓冲层,替代CdS,实现电池的无镉化.
- 刘琪冒国兵敖建平
- 关键词：ZNS薄膜
