国家自然科学基金(59832100)
- 作品数：20 被引量：95H指数：5
- 相关作者：鲍希茂吴兴龙邹建平马振昌秦国刚更多>>
- 相关机构：南京大学北京大学复旦大学更多>>
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- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 电化学脉冲腐蚀法制备窄峰发射的多孔硅微腔被引量：8
- 2002年
- 用电化学脉冲腐蚀方法制备了多孔硅微腔 ,讨论了脉冲电化学腐蚀的参数——周期、占空比对多孔硅多层膜制备的影响 ,并用了以 HF酸扩散为基础的多孔硅动态腐蚀机理对实验结果进行解释 ,认为在用电化学脉冲腐蚀法制备多孔硅微腔的过程中 ,不但要考虑到 HF酸对硅的纵向电流腐蚀 ,也要考虑到 HF酸对多孔硅硅柱的横向浸泡腐蚀 .可通过选取合适的周期、占空比 ,使二者对多孔硅的作用达到适中 ,以制备出高质量的多孔硅多层膜和微腔 .并用正交实验法优化了制备多孔硅微腔的参数 ,根据优化的实验参数 ,制备出了发光峰半峰宽为 6
- 徐少辉熊祖洪顾岚岚柳毅丁训民侯晓远
- 关键词：多孔硅微腔光致发光
- 硅基多孔氧化铝薄膜中的裂纹被引量：1
- 2000年
- 我们利用硫酸阳极氧化硅基铝膜成功地制备了多孔型硅基氧化铝模板。通过HRTEM观察 ,我们发现氧化铝薄膜中主要存在 3种类型的裂纹 :界面裂纹、孔底裂纹和孔壁裂纹。其中界面裂纹呈波浪型 ,其走向平行于硅铝界面 ;而孔底裂纹则基本垂直于硅基表面。由于铝膜中缺陷 (如晶界、位错、空位等 )的影响 ,铝膜腐蚀氧化中体积膨胀具有不均匀性 ,所以局部应力集中并释放是造成这两种裂纹的根本原因。另外 ,裂纹产生使得局域腐蚀面积增大 ,从而造成局域溶液浓度迅速下降 ,这使得局域孔的生长速率变慢。这一效应和应力的共同作用将影响孔的形状并使得有些孔停止生长。我们认为这是孔自组织排列的一个可能机制。值得注意的是孔底裂纹作为原子扩散的通道 ,使得孔底物质和下金属电极层可以穿过氧化铝绝缘层经由扩散而形成的这一金属原子富集区而导通 ,这一结构特征为利用硅基多孔氧化铝模板原位合成高有序度低维纳米量子器件提供了重要保证。
- 濮林朱健民吴俊辉邹建平周舜华鲍希茂李齐冯端
- 关键词：自组织机制
- 硅基多孔氧化铝薄膜微结构的TEM研究
- 赵小宁吴俊辉邹建平朱健民鲍希茂冯端
- 关键词：阳极氧化TEM微结构
- 硅基底电子束蒸发铝膜阳极氧化特性被引量：8
- 2000年
- 研究了硅衬底上电子束蒸发铝膜 ,在 H2 SO4 水溶液中阳极氧化形成硅衬底多孔氧化铝复合结构的过程 .硅衬底电子束蒸发铝膜的阳极氧化过程主要由多孔氧化铝的生长、氧化铝生长向氧化硅生长的过渡和氧化硅生长三个阶段构成 .硅衬底多孔氧化铝复合结构的透射电子显微镜观察表明 ,在硅衬底上形成了垂直于硅表面的氧化铝纳米孔 ,而孔底可形成 Si O2 层 .有序结构多孔氧化铝的形成不依赖于铝膜的结晶状态 ,而是由阳极氧化过程的自组织作用所决定的 .实验表明将多孔氧化铝制备工艺移植到硅基衬底上直接形成硅基衬底多孔氧化铝复合结构是可行的 。
- 邹建平吴俊辉朱青濮林朱健民鲍希茂
- 关键词：多孔氧化铝阳极氧化电子束蒸发铝膜硅基底
- 高拉曼散射信号增强衬底材料:银分形网络被引量：2
- 2007年
- 基于扩散限制聚集过程机制合成的大型银分形网络被用作表面增强拉曼散射活性衬底材料。此衬底材料具有很好的拉曼增强特性以及很宽的动态响应范围。其较大的增强因子可归结为高度局域化的等离激元共振。
- 沈剑沧
- 关键词：表面增强拉曼散射
- 硅基多孔氧化铝薄膜的解理断裂特性
- 2000年
- 濮林朱健民吴俊辉邹建平周舜华鲍希茂李齐冯端
- 关键词：硅基多孔氧化铝薄膜
- 硅基多孔氧化铝薄膜微结构的TEM研究
- 2000年
- 赵小宁吴俊辉邹建平朱健民鲍希茂冯端
- 关键词：硅基多孔氧化铝薄膜微结构TEM
- 硅基纳米β-SiC量子点列阵的制备被引量：5
- 2002年
- 报道了用两步自组装法制备硅基纳米碳化硅量子点列阵. 先将两种硅烷偶联剂均匀有序地偶联到洁净的单晶硅片上,其中一种偶联剂能打破C60上的碳碳双键而使C60通过偶联剂均匀有序地分布在硅片的表面上. 然后用夹心法或覆盖法将样品在900oC的氮气氛中退火20 min,使C60分解成活性碳,与周围的硅原子结合生成碳化硅,碳化硅分子的自组装形成了碳化硅纳米晶粒(量子点),C60在硅表面的有序排列导致了纳米碳化硅量子点列阵形成.
- 吴兴龙顾沂鲍希茂
- 关键词：自组织生长纳米半导体
- 掺杂纳米硅薄膜中电子自旋共振研究被引量：2
- 2001年
- 研究了掺杂纳米硅薄膜 (nc ∶Si∶H)中的电子自旋共振 (ESR)及与之相关的缺陷态 .样品是用等离子体增强化学气相沉积方法制成 ,为两相结构 ,即纳米晶粒镶嵌于非晶本体之中 .对掺磷的nc Si∶H样品 ,测量出其ESR信号的 g值为 1.9990— 1.9991,线宽ΔHpp为 (4 0— 42 )× 10 -4 T ,ESR密度Nss为 10 17cm-3 数量级 .对掺硼的nc Si∶H样品 ,其ESR信号的 g值为 2 .0 0 76— 2 .0 0 78,ΔHpp约为 18× 10 -4 T ,Nss为 10 16cm-3 数量级 .结合有关这种薄膜的微结构及导电等特性分析 ,对上述ESR来源 ,其线宽及密度等进行了解释 .认为掺磷的ESR信号来源于纳米晶粒 /非晶本体界面处高密度缺陷态上的未配对电子 ,而掺硼的ESR信号来源于非晶本体中a
- 刘湘娜徐刚毅眭云霞何宇亮鲍希茂
- 关键词：纳米硅薄膜微结构电子自旋共振缺陷态掺杂
- 不同形态MEH-PPV的构象及其光学特性被引量：5
- 2005年
- 通过对在固溶体、稀溶液、薄膜和纳米孔中MEH-PPV的PL和PLE谱的测量分析,研究不同形态下MEH-PPV分子链的构象及其对电子能带和光学性质的影响。在THF稀溶液中,MEH-PPV分子链基本上皆为分立态;在MEH-PPV薄膜中,分子链基本上皆为聚集态;在MEH-PPV/PS固溶体中,MEH-PPV分子链为聚集态和分立态两构象并存,聚集态的比例随MEH-PPV浓度的增加而升高;在多孔氧化铝模板纳米孔中,MEH-PPV分子链形成链束。分立态、聚集态和链束这三种不同构象的分子链具有不同的电子能带结构和光学性质。
- 袁仁宽孔凡欧昌刚郑怡张苏洋杨昌正鲍希茂吴兴龙
- 关键词：构象光致发光纳米材料
